Effectieve kanaallengte Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖PN-verbindingslengte wordt gedefinieerd als de totale lengte van de junctie van p-zijde tot n-zijde in een halfgeleider.ⓘ PN-verbindingslengte [L_pn]			+10% -10%
✖De breedte van het uitputtingsgebied in een typische Si-diode varieert van een fractie van een micrometer tot tientallen micrometers, afhankelijk van de geometrie van het apparaat, het dopingprofiel en de externe bias.ⓘ Breedte uitputtingsregio [L_d]			+10% -10%

✖Effectieve kanaallengte wordt gedefinieerd als het pad dat de ladingsdragers verbindt tussen de afvoer en de bron.ⓘ Effectieve kanaallengte [L_eff]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Effectieve kanaallengte

Formule

`"L"_{"eff"} = "L"_{"pn"}-"L"_{"d"}`

Voorbeeld

`"7.99mm"="19mm"-"11.01mm"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Effectieve kanaallengte Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio
L_eff = L_pn-L_d
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Effectieve kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Effectieve kanaallengte wordt gedefinieerd als het pad dat de ladingsdragers verbindt tussen de afvoer en de bron.
PN-verbindingslengte - (Gemeten in Meter) - PN-verbindingslengte wordt gedefinieerd als de totale lengte van de junctie van p-zijde tot n-zijde in een halfgeleider.
Breedte uitputtingsregio - (Gemeten in Meter) - De breedte van het uitputtingsgebied in een typische Si-diode varieert van een fractie van een micrometer tot tientallen micrometers, afhankelijk van de geometrie van het apparaat, het dopingprofiel en de externe bias.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

PN-verbindingslengte: 19 Millimeter --> 0.019 Meter (Bekijk de conversie hier)
Breedte uitputtingsregio: 11.01 Millimeter --> 0.01101 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

L_eff = L_pn-L_d --> 0.019-0.01101

Evalueren ... ...

L_eff = 0.00799

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00799 Meter -->7.99 Millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

7.99 Millimeter <-- Effectieve kanaallengte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Effectieve kanaallengte

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte

Effectieve kanaallengte

Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio

PN-verbindingslengte

Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte

Overgangsbreedte van CMOS

Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit

Spanning bij minimale EDP

Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)

CMOS kritische spanning

Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Effectieve kanaallengte Formule

Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio
L_eff = L_pn-L_d

Wat is de betekenis van kanaallengte?

Idealiter is Ids onafhankelijk van Vds voor een transistor in verzadiging, waardoor de transistor een perfecte stroombron is. de p-n-overgang tussen de afvoer en het lichaam vormt een uitputtingsgebied met een breedte Ld die toeneemt met Vdb, waardoor het uitputtingsgebied effectief de kanaallengte verkort.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!