Comprimento Efetivo do Canal Calculadora

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✖O comprimento da junção PN é definido como o comprimento total da junção do lado p ao lado n em um semicondutor.ⓘ Comprimento da junção PN [L_pn]			+10% -10%
✖A largura da região de depleção em um diodo de Si típico varia de uma fração de micrômetro a dezenas de micrômetros, dependendo da geometria do dispositivo, do perfil de dopagem e da polarização externa.ⓘ Largura da região de esgotamento [L_d]			+10% -10%

✖O comprimento efetivo do canal é definido como o caminho que liga os portadores de carga entre o dreno e a fonte.ⓘ Comprimento Efetivo do Canal [L_eff]

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Fórmula

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Comprimento Efetivo do Canal

Fórmula

`"L"_{"eff"} = "L"_{"pn"}-"L"_{"d"}`

Exemplo

`"7.99mm"="19mm"-"11.01mm"`

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Comprimento Efetivo do Canal Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento
L_eff = L_pn-L_d
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Comprimento Efetivo do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento efetivo do canal é definido como o caminho que liga os portadores de carga entre o dreno e a fonte.
Comprimento da junção PN - (Medido em Metro) - O comprimento da junção PN é definido como o comprimento total da junção do lado p ao lado n em um semicondutor.
Largura da região de esgotamento - (Medido em Metro) - A largura da região de depleção em um diodo de Si típico varia de uma fração de micrômetro a dezenas de micrômetros, dependendo da geometria do dispositivo, do perfil de dopagem e da polarização externa.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Comprimento da junção PN: 19 Milímetro --> 0.019 Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura da região de esgotamento: 11.01 Milímetro --> 0.01101 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

L_eff = L_pn-L_d --> 0.019-0.01101

Avaliando ... ...

L_eff = 0.00799

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.00799 Metro -->7.99 Milímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

7.99 Milímetro <-- Comprimento Efetivo do Canal

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS

Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Permissividade da Camada de Óxido

Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Espessura da Camada de Óxido

Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada

Largura do Portão

Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral

Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)

Largura de transição do CMOS

Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS

Largura da região de depleção

Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal

Comprimento Efetivo do Canal

Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal

Campo Elétrico Crítico

Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron

CMOS significa caminho livre

Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico

Tensão Crítica CMOS

Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre

Largura da Difusão da Fonte

Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte

Área de Difusão de Fonte

Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Tensão no Mínimo EDP

Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Comprimento Efetivo do Canal Fórmula

Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento
L_eff = L_pn-L_d

Qual é a importância do comprimento do canal?

Idealmente, Ids é independente de Vds para um transistor em saturação, tornando o transistor uma fonte de corrente perfeita. a junção p-n entre o dreno e o corpo forma uma região de depleção com largura Ld que aumenta com Vdb, assim a região de depleção efetivamente encurta o comprimento do canal.

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