Energie geleverd door voeding Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

CMOS-omvormers

Array Datapath-subsysteem

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-circuits

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Voedingsspanning van CMOS wordt gedefinieerd als de voedingsspanning die wordt gegeven aan de bronterminal van de PMOS.ⓘ Voedingsspanning [V_DD]			+10% -10%
✖De momentane afvoerstroom tijdens het laden of ontladen kan worden berekend met behulp van respectievelijk de condensatorlaad- of ontlaadvergelijkingen.ⓘ Onmiddellijke afvoerstroom [i_D[t]]			+10% -10%
✖Het laadinterval van de condensator is de tijd die de condensator nodig heeft om op te laden.ⓘ Oplaadinterval van condensator [T_c]			+10% -10%

✖Energie geleverd door de voeding, laad de condensator op.ⓘ Energie geleverd door voeding [E_DD]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Energie geleverd door voeding

Formule

`"E"_{"DD"} = int("V"_{"DD"}*("i"_{"D"}"[t]")*x,x,0,"T"_{"c"})`

Voorbeeld

`"59.4J"=int("3.3V"*"4A"*x,x,0,"3s")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-ontwerp en toepassingen Formule Pdf PDF Image

Energie geleverd door voeding Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Energie geleverd door voeding = int(Voedingsspanning*Onmiddellijke afvoerstroom*x,x,0,Oplaadinterval van condensator)
E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

int - De definitieve integraal kan worden gebruikt om het netto ondertekende gebied te berekenen, dat wil zeggen het gebied boven de x-as minus het gebied onder de x-as., int(expr, arg, from, to)

Variabelen gebruikt

Energie geleverd door voeding - (Gemeten in Joule) - Energie geleverd door de voeding, laad de condensator op.
Voedingsspanning - (Gemeten in Volt) - Voedingsspanning van CMOS wordt gedefinieerd als de voedingsspanning die wordt gegeven aan de bronterminal van de PMOS.
Onmiddellijke afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - De momentane afvoerstroom tijdens het laden of ontladen kan worden berekend met behulp van respectievelijk de condensatorlaad- of ontlaadvergelijkingen.
Oplaadinterval van condensator - (Gemeten in Seconde) - Het laadinterval van de condensator is de tijd die de condensator nodig heeft om op te laden.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Voedingsspanning: 3.3 Volt --> 3.3 Volt Geen conversie vereist
Onmiddellijke afvoerstroom: 4 Ampère --> 4 Ampère Geen conversie vereist
Oplaadinterval van condensator: 3 Seconde --> 3 Seconde Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c) --> int(3.3*4*x,x,0,3)

Evalueren ... ...

E_DD = 59.4

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

59.4 Joule --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

59.4 Joule <-- Energie geleverd door voeding

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-omvormers » Energie geleverd door voeding

Credits

Gemaakt door Zaheer Sjeik

Seshadri Rao Gudlavalleru Engineering College (SRGEC), Gudlavalleru

Zaheer Sjeik heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 25+ rekenmachines!

< 17 CMOS-omvormers Rekenmachines

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met lage naar hoge output

Gaan Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output = (Belastingscapaciteit/(Transconductantie van PMOS*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))))*(((2*abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel)))+ln((4*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/Voedingsspanning)-1))

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met hoge naar lage output

Gaan Tijd voor overgang van hoog naar laag output = (Belastingscapaciteit/(Transconductantie van NMOS*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)))*((2*Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning/(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning))+ln((4*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)/Voedingsspanning)-1))

Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning = Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-sqrt((Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))^2-(2*Voedingsspanning/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))

Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning CMOS = (2*Uitgangsspanning voor maximale invoer+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)-Voedingsspanning+Transconductantieverhouding*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/(1+Transconductantieverhouding)

Drempelspanning CMOS

Gaan Drempelspanning = (Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel+sqrt(1/Transconductantieverhouding)*(Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)))/(1+sqrt(1/Transconductantieverhouding))

Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)+Transconductantieverhouding*(2*Uitgangsspanning+Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel))/(1+Transconductantieverhouding)

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Gaan Belastingscapaciteit = Gate Drain-capaciteit van PMOS+Gate Drain-capaciteit van NMOS+Tap de bulkcapaciteit van PMOS af+Bulkcapaciteit van NMOS afvoeren+Interne capaciteit+Poortcapaciteit

Energie geleverd door voeding

Gaan Energie geleverd door voeding = int(Voedingsspanning*Onmiddellijke afvoerstroom*x,x,0,Oplaadinterval van condensator)

Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS = Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Gaan Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2

Gemiddelde vermogensdissipatie CMOS

Gaan Gemiddelde vermogensdissipatie = Belastingscapaciteit*(Voedingsspanning)^2*Frequentie

Maximale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning = (3*Voedingsspanning+2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Minimale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (5*Voedingsspanning-2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Oscillatieperiode Ringoscillator CMOS

Gaan Oscillatieperiode = 2*Aantal fasen Ringoscillator*Gemiddelde voortplantingsvertraging

Transconductantieverhouding CMOS

Gaan Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS

Ruismarge voor CMOS met hoog signaal

Gaan Ruismarge voor hoog signaal = Maximale uitgangsspanning-Minimale ingangsspanning

Energie geleverd door voeding Formule

Energie geleverd door voeding = int(Voedingsspanning*Onmiddellijke afvoerstroom*x,x,0,Oplaadinterval van condensator)
E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!