Énergie fournie par l'alimentation électrique Calculatrice

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✖La tension d'alimentation du CMOS est définie comme la tension d'alimentation fournie à la borne source du PMOS.ⓘ Tension d'alimentation [V_DD]			+10% -10%
✖Le courant de drainage instantané pendant la charge ou la décharge peut être calculé à l'aide des équations de charge ou de décharge du condensateur, respectivement.ⓘ Courant de vidange instantané [i_D[t]]			+10% -10%
✖L'intervalle de charge du condensateur est le temps nécessaire au condensateur pour se charger.ⓘ Intervalle de charge du condensateur [T_c]			+10% -10%

✖L'énergie fournie par l'alimentation charge le condensateur.ⓘ Énergie fournie par l'alimentation électrique [E_DD]

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Formule

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Énergie fournie par l'alimentation électrique

Formule

`"E"_{"DD"} = int("V"_{"DD"}*("i"_{"D"}"[t]")*x,x,0,"T"_{"c"})`

Exemple

`"59.4J"=int("3.3V"*"4A"*x,x,0,"3s")`

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Énergie fournie par l'alimentation électrique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Énergie fournie par l'alimentation électrique = int(Tension d'alimentation*Courant de vidange instantané*x,x,0,Intervalle de charge du condensateur)
E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 4 Variables

Fonctions utilisées

int - L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer la zone nette signée, qui est la zone au-dessus de l'axe des x moins la zone en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)

Variables utilisées

Énergie fournie par l'alimentation électrique - (Mesuré en Joule) - L'énergie fournie par l'alimentation charge le condensateur.
Tension d'alimentation - (Mesuré en Volt) - La tension d'alimentation du CMOS est définie comme la tension d'alimentation fournie à la borne source du PMOS.
Courant de vidange instantané - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drainage instantané pendant la charge ou la décharge peut être calculé à l'aide des équations de charge ou de décharge du condensateur, respectivement.
Intervalle de charge du condensateur - (Mesuré en Deuxième) - L'intervalle de charge du condensateur est le temps nécessaire au condensateur pour se charger.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension d'alimentation: 3.3 Volt --> 3.3 Volt Aucune conversion requise
Courant de vidange instantané: 4 Ampère --> 4 Ampère Aucune conversion requise
Intervalle de charge du condensateur: 3 Deuxième --> 3 Deuxième Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c) --> int(3.3*4*x,x,0,3)

Évaluer ... ...

E_DD = 59.4

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

59.4 Joule --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

59.4 Joule <-- Énergie fournie par l'alimentation électrique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Zaheer Cheikh

Collège d'ingénierie Seshadri Rao Gudlavalleru (SRGEC), Gudlavalleru

Zaheer Cheikh a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a validé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

< 17 Onduleurs CMOS Calculatrices

Retard de propagation pour les CMOS de transition de faible à haut rendement

Aller Temps de transition de faible à élevée de la sortie = (Capacité de charge/(Transconductance du PMOS*(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))))*(((2*abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))/(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle)))+ln((4*(Tension d'alimentation-abs(Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle))/Tension d'alimentation)-1))

Retard de propagation pour les CMOS de transition de sortie haute à basse

Aller Temps de transition de haut en bas de la sortie = (Capacité de charge/(Transconductance du NMOS*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)))*((2*Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle/(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle))+ln((4*(Tension d'alimentation-Tension de seuil du NMOS avec polarisation corporelle)/Tension d'alimentation)-1))

Charge résistive Tension de sortie minimale CMOS

Aller Tension de sortie minimale de charge résistive = Tension d'alimentation-Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-sqrt((Tension d'alimentation-Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)))^2-(2*Tension d'alimentation/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge)))

Tension d'entrée maximale CMOS

Aller Tension d'entrée maximale CMOS = (2*Tension de sortie pour entrée maximale+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)-Tension d'alimentation+Rapport de transconductance*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/(1+Rapport de transconductance)

Tension de seuil CMOS

Aller Tension de seuil = (Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle+sqrt(1/Rapport de transconductance)*(Tension d'alimentation+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)))/(1+sqrt(1/Rapport de transconductance))

Charge résistive Tension d'entrée minimale CMOS

Aller Tension d'entrée minimale de charge résistive = Tension de seuil de polarisation nulle+sqrt((8*Tension d'alimentation)/(3*Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))-(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))

Tension d'entrée minimale CMOS

Aller Tension d'entrée minimale = (Tension d'alimentation+(Tension seuil du PMOS sans polarisation corporelle)+Rapport de transconductance*(2*Tension de sortie+Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle))/(1+Rapport de transconductance)

Capacité de charge de l'onduleur en cascade CMOS

Aller Capacité de charge = Capacité de drain de grille du PMOS+Capacité de drain de grille du NMOS+Capacité de drainage en vrac du PMOS+Capacité de drainage en vrac du NMOS+Capacité interne+Capacité de porte

Énergie fournie par l'alimentation électrique

Aller Énergie fournie par l'alimentation électrique = int(Tension d'alimentation*Courant de vidange instantané*x,x,0,Intervalle de charge du condensateur)

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS

Aller Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS = Tension de seuil de polarisation nulle+(1/(Transconductance du NMOS*Résistance à la charge))

Délai de propagation moyen CMOS

Aller Délai de propagation moyen = (Temps de transition de haut en bas de la sortie+Temps de transition de faible à élevée de la sortie)/2

Dissipation de puissance moyenne CMOS

Aller Dissipation de puissance moyenne = Capacité de charge*(Tension d'alimentation)^2*Fréquence

Tension d'entrée maximale pour CMOS symétrique

Aller Tension d'entrée maximale = (3*Tension d'alimentation+2*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/8

Tension d'entrée minimale pour CMOS symétrique

Aller Tension d'entrée minimale = (5*Tension d'alimentation-2*Tension de seuil du NMOS sans polarisation corporelle)/8

Oscillateur en anneau à période d'oscillation CMOS

Aller Période d'oscillation = 2*Nombre d'étages de l'oscillateur en anneau*Délai de propagation moyen

Marge de bruit pour les CMOS à signal élevé

Aller Marge de bruit pour un signal élevé = Tension de sortie maximale-Tension d'entrée minimale

Rapport de transconductance CMOS

Aller Rapport de transconductance = Transconductance du NMOS/Transconductance du PMOS

Énergie fournie par l'alimentation électrique Formule

Énergie fournie par l'alimentation électrique = int(Tension d'alimentation*Courant de vidange instantané*x,x,0,Intervalle de charge du condensateur)
E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c)

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