Energia dostarczana przez zasilacz Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Falowniki CMOS

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

Wskaźniki mocy CMOS

✖Napięcie zasilania CMOS definiuje się jako napięcie zasilania podawane na zacisk źródłowy PMOS.ⓘ Napięcie zasilania [V_DD]			+10% -10%
✖Chwilowy prąd drenu podczas ładowania lub rozładowywania można obliczyć, odpowiednio, korzystając z równań ładowania lub rozładowywania kondensatora.ⓘ Chwilowy prąd drenu [i_D[t]]			+10% -10%
✖Interwał ładowania kondensatora to czas ładowania kondensatora.ⓘ Interwał ładowania kondensatora [T_c]			+10% -10%

✖Energia dostarczana przez zasilacz ładuje kondensator.ⓘ Energia dostarczana przez zasilacz [E_DD]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Energia dostarczana przez zasilacz

Formuła

`"E"_{"DD"} = int("V"_{"DD"}*("i"_{"D"}"[t]")*x,x,0,"T"_{"c"})`

Przykład

`"59.4J"=int("3.3V"*"4A"*x,x,0,"3s")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Projektowanie i zastosowania CMOS Formułę PDF PDF Image

Energia dostarczana przez zasilacz Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Energia dostarczana przez zasilacz = int(Napięcie zasilania*Chwilowy prąd drenu*x,x,0,Interwał ładowania kondensatora)
E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 4 Zmienne

Używane funkcje

int - Całkę oznaczoną można wykorzystać do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, czyli obszaru nad osią x minus pole pod osią x., int(expr, arg, from, to)

Używane zmienne

Energia dostarczana przez zasilacz - (Mierzone w Dżul) - Energia dostarczana przez zasilacz ładuje kondensator.
Napięcie zasilania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie zasilania CMOS definiuje się jako napięcie zasilania podawane na zacisk źródłowy PMOS.
Chwilowy prąd drenu - (Mierzone w Amper) - Chwilowy prąd drenu podczas ładowania lub rozładowywania można obliczyć, odpowiednio, korzystając z równań ładowania lub rozładowywania kondensatora.
Interwał ładowania kondensatora - (Mierzone w Drugi) - Interwał ładowania kondensatora to czas ładowania kondensatora.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie zasilania: 3.3 Wolt --> 3.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Chwilowy prąd drenu: 4 Amper --> 4 Amper Nie jest wymagana konwersja
Interwał ładowania kondensatora: 3 Drugi --> 3 Drugi Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c) --> int(3.3*4*x,x,0,3)

Ocenianie ... ...

E_DD = 59.4

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

59.4 Dżul --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

59.4 Dżul <-- Energia dostarczana przez zasilacz

(Obliczenie zakończone za 00.022 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Falowniki CMOS » Energia dostarczana przez zasilacz

Kredyty

Stworzone przez Zaheera Szejka

Szkoła Inżynierska Seshadri Rao Gudlavalleru (SRGEC), Gudlavalleru

Zaheera Szejka utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz zweryfikował ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

< 17 Falowniki CMOS Kalkulatory

Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z niskiej na wysoką moc wyjściową

Iść Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia/(Transkonduktancja PMOS*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))))*(((2*abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała)))+ln((4*(Napięcie zasilania-abs(Napięcie progowe PMOS z odchyleniem ciała))/Napięcie zasilania)-1))

Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS

Iść Minimalne napięcie wyjściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-sqrt((Napięcie zasilania-Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))^2-(2*Napięcie zasilania/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie)))

Opóźnienie propagacji dla przejścia CMOS z wysokiego na niski poziom wyjściowy

Iść Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy = (Pojemność obciążenia/(Transkonduktancja NMOS*(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała)))*((2*Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała/(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała))+ln((4*(Napięcie zasilania-Napięcie progowe NMOS z odchyleniem ciała)/Napięcie zasilania)-1))

Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS

Iść Minimalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego = Napięcie progowe zerowego odchylenia+sqrt((8*Napięcie zasilania)/(3*Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))-(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))

Maksymalne napięcie wejściowe CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe CMOS = (2*Napięcie wyjściowe dla maksymalnego wejścia+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)-Napięcie zasilania+Współczynnik transkonduktancji*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/(1+Współczynnik transkonduktancji)

Napięcie progowe CMOS

Iść Próg napięcia = (Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji)*(Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)))/(1+sqrt(1/Współczynnik transkonduktancji))

Minimalne napięcie wejściowe CMOS

Iść Minimalne napięcie wejściowe = (Napięcie zasilania+(Napięcie progowe PMOS bez odchylenia ciała)+Współczynnik transkonduktancji*(2*Napięcie wyjściowe+Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała))/(1+Współczynnik transkonduktancji)

Pojemność obciążenia kaskadowego falownika CMOS

Iść Pojemność obciążenia = Pojemność drenu bramki PMOS+Pojemność drenu bramki NMOS+Opróżnij pojemność zbiorczą PMOS+Opróżnij pojemność zbiorczą NMOS+Pojemność wewnętrzna+Pojemność bramki

Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe obciążenia rezystancyjnego CMOS = Napięcie progowe zerowego odchylenia+(1/(Transkonduktancja NMOS*Odporność na obciążenie))

Energia dostarczana przez zasilacz

Iść Energia dostarczana przez zasilacz = int(Napięcie zasilania*Chwilowy prąd drenu*x,x,0,Interwał ładowania kondensatora)

Średnie opóźnienie propagacji CMOS

Iść Średnie opóźnienie propagacji = (Czas przejścia z wysokiego na niski poziom wyjściowy+Czas przejścia z niskiego na wysoki poziom wyjściowy)/2

Średnie rozproszenie mocy CMOS

Iść Średnie rozproszenie mocy = Pojemność obciążenia*(Napięcie zasilania)^2*Częstotliwość

Maksymalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS

Iść Maksymalne napięcie wejściowe = (3*Napięcie zasilania+2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8

Minimalne napięcie wejściowe dla symetrycznej pamięci CMOS

Iść Minimalne napięcie wejściowe = (5*Napięcie zasilania-2*Napięcie progowe NMOS bez odchylenia ciała)/8

Margines szumu dla sygnału CMOS o wysokim sygnale

Iść Margines szumu dla wysokiego sygnału = Maksymalne napięcie wyjściowe-Minimalne napięcie wejściowe

Oscylator pierścieniowy z okresem oscylacji CMOS

Iść Okres oscylacji = 2*Liczba stopni oscylatora pierścieniowego*Średnie opóźnienie propagacji

Współczynnik transkonduktancji CMOS

Iść Współczynnik transkonduktancji = Transkonduktancja NMOS/Transkonduktancja PMOS

Energia dostarczana przez zasilacz Formułę

Energia dostarczana przez zasilacz = int(Napięcie zasilania*Chwilowy prąd drenu*x,x,0,Interwał ładowania kondensatora)
E_DD = int(V_DD*i_D[t]*x,x,0,T_c)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!