Gate Drain-capaciteit van FET Rekenmachine

✖Gate Drain Capacitance Off Time FET geeft de tijd aan die de gate-to-drain-capaciteit nodig heeft om te ontladen, wat van invloed is op de schakelkarakteristieken en de energie-efficiëntie in elektronische circuits.ⓘ Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET [T_gd-off(fet)]			+10% -10%
✖Gate to Drain-spanning FET is het spanningsverschil tussen de gate- en drain-aansluitingen van een FET.ⓘ Poort naar afvoerspanning FET [V_gd(fet)]			+10% -10%
✖Oppervlaktepotentiaal FET werkt op basis van de oppervlaktepotentiaal van het halfgeleiderkanaal en regelt de stroomstroom door een poortspanning zonder inversielagen te genereren.ⓘ Oppervlaktepotentiaal FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Gate Drain Capacitance FET is de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van de FET. Het wordt veroorzaakt door de overlap tussen de gate- en draingebieden.ⓘ Gate Drain-capaciteit van FET [C_gd(fet)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gate Drain-capaciteit van FET

Formule

`"C"_{"gd(fet)"} = "T"_{"gd-off(fet)"}/(1-"V"_{"gd(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"})^(1/3)`

Voorbeeld

`"6.475557F"="6.47s"/(1-"0.0128V"/"4.976V")^(1/3)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geavanceerde transistorapparaten Formules Pdf PDF Image

Gate Drain-capaciteit van FET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gate Drain-capaciteit FET = Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET/(1-Poort naar afvoerspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gate Drain-capaciteit FET - (Gemeten in Farad) - Gate Drain Capacitance FET is de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van de FET. Het wordt veroorzaakt door de overlap tussen de gate- en draingebieden.
Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET - (Gemeten in Seconde) - Gate Drain Capacitance Off Time FET geeft de tijd aan die de gate-to-drain-capaciteit nodig heeft om te ontladen, wat van invloed is op de schakelkarakteristieken en de energie-efficiëntie in elektronische circuits.
Poort naar afvoerspanning FET - (Gemeten in Volt) - Gate to Drain-spanning FET is het spanningsverschil tussen de gate- en drain-aansluitingen van een FET.
Oppervlaktepotentiaal FET - (Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentiaal FET werkt op basis van de oppervlaktepotentiaal van het halfgeleiderkanaal en regelt de stroomstroom door een poortspanning zonder inversielagen te genereren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET: 6.47 Seconde --> 6.47 Seconde Geen conversie vereist
Poort naar afvoerspanning FET: 0.0128 Volt --> 0.0128 Volt Geen conversie vereist
Oppervlaktepotentiaal FET: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) --> 6.47/(1-0.0128/4.976)^(1/3)

Evalueren ... ...

C_gd(fet) = 6.47555722841382

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

6.47555722841382 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

6.47555722841382 ≈ 6.475557 Farad <-- Gate Drain-capaciteit FET

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » FET » Gate Drain-capaciteit van FET

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< 8 FET Rekenmachines

Ohmse regioafvoerstroom van FET

Gaan Afvoer huidige FET = Kanaalgeleiding FET*(Afvoerbronspanning FET+3/2*((Oppervlaktepotentiaal FET+Afvoerbronspanning FET-Afvoerbronspanning FET)^(3/2)-(Oppervlaktepotentiaal FET+Afvoerbronspanning FET)^(3/2))/((Oppervlaktepotentiaal FET+Knijp UIT-spanning)^(1/2)))

Transconductantie van FET

Gaan Voorwaartse transconductantie FET = (2*Nul bias-afvoerstroom)/Knijp UIT-spanning*(1-Afvoerbronspanning FET/Knijp UIT-spanning)

Afvoerbronspanning van FET

Gaan Afvoerbronspanning FET = Voedingsspanning bij afvoer-FET-Afvoer huidige FET*(Afvoerweerstand FET+Bron Weerstand FET)

Gate Drain-capaciteit van FET

Gaan Gate Drain-capaciteit FET = Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET/(1-Poort naar afvoerspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET)^(1/3)

Gate Source-capaciteit van FET

Gaan Gate Source-capaciteit FET = Poortbroncapaciteit uitschakeltijd FET/(1-(Afvoerbronspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET))^(1/3)

Afvoerstroom van FET

Gaan Afvoer huidige FET = Nul bias-afvoerstroom*(1-Afvoerbronspanning FET/Afsnijspanning FET)^2

Spanningsversterking van FET

Gaan Spanningsversterking FET = -Voorwaartse transconductantie FET*Afvoerweerstand FET

Afknijpspanning van FET

Gaan Knijp UIT-spanning = Knijp UIT Afvoerbronspanning FET-Afvoerbronspanning FET

Gate Drain-capaciteit van FET Formule

Gate Drain-capaciteit FET = Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET/(1-Poort naar afvoerspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!