Gate Drain-capaciteit van FET Rekenmachine

Gate Drain-capaciteit FET = Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET/(1-Poort naar afvoerspanning FET/Oppervlaktepotentiaal FET)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Gate Drain-capaciteit FET - (Gemeten in Farad) - Gate Drain Capacitance FET is de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van de FET. Het wordt veroorzaakt door de overlap tussen de gate- en draingebieden.
Gate Drain Capaciteit Uitschakeltijd FET - (Gemeten in Seconde) - Gate Drain Capacitance Off Time FET geeft de tijd aan die de gate-to-drain-capaciteit nodig heeft om te ontladen, wat van invloed is op de schakelkarakteristieken en de energie-efficiëntie in elektronische circuits.
Poort naar afvoerspanning FET - (Gemeten in Volt) - Gate to Drain-spanning FET is het spanningsverschil tussen de gate- en drain-aansluitingen van een FET.
Oppervlaktepotentiaal FET - (Gemeten in Volt) - Oppervlaktepotentiaal FET werkt op basis van de oppervlaktepotentiaal van het halfgeleiderkanaal en regelt de stroomstroom door een poortspanning zonder inversielagen te genereren.

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)