Gate Drain-capaciteit van FET Rekenmachine

✖Gate Drain Capacitance off Time van een FET heeft een negatieve invloed op de uitschakeltijd van de FET. De uitschakeltijd is de tijd die de FET nodig heeft om van de aan- naar de uit-status te schakelen.ⓘ Poortafvoercapaciteit uit-tijd [C_off(g-d)]			+10% -10%
✖Gate to Drain-spanning is het spanningsverschil tussen de gate- en drain-aansluitingen van een FET. Het is een belangrijke parameter voor FET-werking.ⓘ Poort naar afvoerspanning [V_(g-d)]			+10% -10%
✖Psi (ψ) is de oppervlaktepotentiaal van een FET. Het is het potentiaalverschil tussen het halfgeleideroppervlak en de bulkhalfgeleider.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖Gate-to-drain-capaciteit van een FET is de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van de FET. Het wordt veroorzaakt door de overlap tussen de gate- en draingebieden.ⓘ Gate Drain-capaciteit van FET [C_(g-d)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gate Drain-capaciteit van FET

Formule

`"C"_{"(g-d)"} = "C"_{"off(g-d)"}/(1-"V"_{"(g-d)"}/"Ψ"_{"0"})^(1/3)`

Voorbeeld

`"9.536121F"="6.47F"/(1-"12.784V"/"0.01859kPa")^(1/3)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Vermogenselektronica Formule Pdf PDF Image

Gate Drain-capaciteit van FET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Poort naar afvoercapaciteit = Poortafvoercapaciteit uit-tijd/(1-Poort naar afvoerspanning/Psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Poort naar afvoercapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate-to-drain-capaciteit van een FET is de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van de FET. Het wordt veroorzaakt door de overlap tussen de gate- en draingebieden.
Poortafvoercapaciteit uit-tijd - (Gemeten in Farad) - Gate Drain Capacitance off Time van een FET heeft een negatieve invloed op de uitschakeltijd van de FET. De uitschakeltijd is de tijd die de FET nodig heeft om van de aan- naar de uit-status te schakelen.
Poort naar afvoerspanning - (Gemeten in Volt) - Gate to Drain-spanning is het spanningsverschil tussen de gate- en drain-aansluitingen van een FET. Het is een belangrijke parameter voor FET-werking.
Psi - (Gemeten in Pascal) - Psi (ψ) is de oppervlaktepotentiaal van een FET. Het is het potentiaalverschil tussen het halfgeleideroppervlak en de bulkhalfgeleider.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poortafvoercapaciteit uit-tijd: 6.47 Farad --> 6.47 Farad Geen conversie vereist
Poort naar afvoerspanning: 12.784 Volt --> 12.784 Volt Geen conversie vereist
Psi: 0.01859 Kilopascal --> 18.59 Pascal (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3) --> 6.47/(1-12.784/18.59)^(1/3)

Evalueren ... ...

C_(g-d) = 9.53612056981509

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

9.53612056981509 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

9.53612056981509 ≈ 9.536121 Farad <-- Poort naar afvoercapaciteit

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » FET » Gate Drain-capaciteit van FET

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 9 FET Rekenmachines

Ohmse regioafvoerstroom van FET

Gaan Afvoerstroom = Kanaalgeleiding*(Afvoer naar bronspanning+3/2*((Psi+Ga naar bronspanning-Afvoer naar bronspanning)^(3/2)-(Psi+Ga naar bronspanning)^(3/2))/((Psi+Knijp UIT-spanning)^(1/2)))

Transconductantie van FET

Gaan Voorwaartse transconductantie = (2*Afvoerstroom van nulvoorspanning)/Knijp UIT-spanning*(1-Ga naar bronspanning/Knijp UIT-spanning)

Afvoerbronspanning van FET

Gaan Afvoer naar bronspanning = Voedingsspanning bij afvoer-Afvoerstroom*(Afvoerweerstand+Bron weerstand)

Afvoerstroom van FET

Gaan Afvoerstroom = Afvoerstroom van nulvoorspanning*(1-Ga naar bronspanning/Cuttoff-versterking naar bronspanning)^2

Gate Drain-capaciteit van FET

Gaan Poort naar afvoercapaciteit = Poortafvoercapaciteit uit-tijd/(1-Poort naar afvoerspanning/Psi)^(1/3)

Poortsubstraatcapaciteit van FET

Gaan Poortsubstraatcapaciteit = Poortsubstraatcapaciteit uit-tijd/(1-(Poortsubstraatspanning/Psi))^(1/2)

Gate Source-capaciteit van FET

Gaan Poort naar broncapaciteit = Poortbroncapaciteit uit-tijd/(1-(Ga naar bronspanning/Psi))^(1/3)

Afknijpspanning van FET

Gaan Knijp UIT-spanning = Knijp UIT Afvoer naar bronspanning-Ga naar bronspanning

Spanningsversterking van FET

Gaan Spanningsversterking = -Voorwaartse transconductantie*Afvoerweerstand

Gate Drain-capaciteit van FET Formule

Poort naar afvoercapaciteit = Poortafvoercapaciteit uit-tijd/(1-Poort naar afvoerspanning/Psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!