Capacité de drain de grille du FET Calculatrice

✖Le temps d'arrêt de la capacité de drain de grille FET indique la durée de décharge de la capacité grille-drain, influençant les caractéristiques de commutation et l'efficacité énergétique des circuits électroniques.ⓘ Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET [T_gd-off(fet)]			+10% -10%
✖La tension grille-drain FET est la différence de tension entre les bornes grille et drain d'un FET.ⓘ Tension porte à drain FET [V_gd(fet)]			+10% -10%
✖Potentiel de surface FET fonctionne sur la base du potentiel de surface du canal semi-conducteur, contrôlant le flux de courant à travers une tension de grille sans générer de couches d'inversion.ⓘ FET de potentiel de surface [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖La capacité de drain de grille FET est la capacité entre les bornes de grille et de drain du FET. Cela est dû au chevauchement entre les régions de grille et de drain.ⓘ Capacité de drain de grille du FET [C_gd(fet)]

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Formule

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Capacité de drain de grille du FET

Formule

`"C"_{"gd(fet)"} = "T"_{"gd-off(fet)"}/(1-"V"_{"gd(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"})^(1/3)`

Exemple

`"6.475557F"="6.47s"/(1-"0.0128V"/"4.976V")^(1/3)`

Calculatrice

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Capacité de drain de grille du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de drain de porte FET = Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET/(1-Tension porte à drain FET/FET de potentiel de surface)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité de drain de porte FET - (Mesuré en Farad) - La capacité de drain de grille FET est la capacité entre les bornes de grille et de drain du FET. Cela est dû au chevauchement entre les régions de grille et de drain.
Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET - (Mesuré en Deuxième) - Le temps d'arrêt de la capacité de drain de grille FET indique la durée de décharge de la capacité grille-drain, influençant les caractéristiques de commutation et l'efficacité énergétique des circuits électroniques.
Tension porte à drain FET - (Mesuré en Volt) - La tension grille-drain FET est la différence de tension entre les bornes grille et drain d'un FET.
FET de potentiel de surface - (Mesuré en Volt) - Potentiel de surface FET fonctionne sur la base du potentiel de surface du canal semi-conducteur, contrôlant le flux de courant à travers une tension de grille sans générer de couches d'inversion.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET: 6.47 Deuxième --> 6.47 Deuxième Aucune conversion requise
Tension porte à drain FET: 0.0128 Volt --> 0.0128 Volt Aucune conversion requise
FET de potentiel de surface: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) --> 6.47/(1-0.0128/4.976)^(1/3)

Évaluer ... ...

C_gd(fet) = 6.47555722841382

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

6.47555722841382 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

6.47555722841382 ≈ 6.475557 Farad <-- Capacité de drain de porte FET

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

< 8 FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange FET = FET de conductance de canal*(Tension de source de drain FET+3/2*((FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET-Tension de source de drain FET)^(3/2)-(FET de potentiel de surface+Tension de source de drain FET)^(3/2))/((FET de potentiel de surface+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller FET à transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation zéro)/Tension de pincement*(1-Tension de source de drain FET/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de source de drain FET = Tension d'alimentation au drain FET-Courant de vidange FET*(FET de résistance de drainage+Source Résistance FET)

Capacité de source de porte du FET

Aller FET de capacité de source de porte = Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET/(1-(Tension de source de drain FET/FET de potentiel de surface))^(1/3)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de drain de porte FET = Capacité de drain de grille Temps d'arrêt FET/(1-Tension porte à drain FET/FET de potentiel de surface)^(1/3)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange FET = Courant de drain de polarisation zéro*(1-Tension de source de drain FET/Tension de coupure FET)^2

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez OFF Drain Source Tension FET-Tension de source de drain FET

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension FET = -FET à transconductance directe*FET de résistance de drainage

Capacité de drain de grille du FET Formule

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