Capacità di drenaggio del gate del FET calcolatrice

✖Tempo di disattivazione della capacità di drenaggio del gate FET indica la durata di scarica della capacità gate-drain, influenzando le caratteristiche di commutazione e l'efficienza energetica nei circuiti elettronici.ⓘ Capacità di drenaggio del gate Tempo di disattivazione FET [T_gd-off(fet)]			+10% -10%
✖La tensione gate-drain FET è la differenza di tensione tra i terminali gate e drain di un FET.ⓘ FET di tensione da gate a drain [V_gd(fet)]			+10% -10%
✖Il FET a potenziale superficiale funziona in base al potenziale superficiale del canale del semiconduttore, controllando il flusso di corrente attraverso una tensione di gate senza generare strati di inversione.ⓘ FET potenziale di superficie [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Capacità di drain del gate FET è la capacità tra i terminali di gate e drain del FET. È causato dalla sovrapposizione tra le regioni di gate e drain.ⓘ Capacità di drenaggio del gate del FET [C_gd(fet)]

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Formula

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Capacità di drenaggio del gate del FET

Formula

`"C"_{"gd(fet)"} = "T"_{"gd-off(fet)"}/(1-"V"_{"gd(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"})^(1/3)`

Esempio

`"-0.733363F"="6.47s"/(1-"12.784V"/"0.01859V")^(1/3)`

Calcolatrice

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Capacità di drenaggio del gate del FET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di drenaggio del gate FET = Capacità di drenaggio del gate Tempo di disattivazione FET/(1-FET di tensione da gate a drain/FET potenziale di superficie)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di drenaggio del gate FET - (Misurato in Farad) - Capacità di drain del gate FET è la capacità tra i terminali di gate e drain del FET. È causato dalla sovrapposizione tra le regioni di gate e drain.
Capacità di drenaggio del gate Tempo di disattivazione FET - (Misurato in Secondo) - Tempo di disattivazione della capacità di drenaggio del gate FET indica la durata di scarica della capacità gate-drain, influenzando le caratteristiche di commutazione e l'efficienza energetica nei circuiti elettronici.
FET di tensione da gate a drain - (Misurato in Volt) - La tensione gate-drain FET è la differenza di tensione tra i terminali gate e drain di un FET.
FET potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il FET a potenziale superficiale funziona in base al potenziale superficiale del canale del semiconduttore, controllando il flusso di corrente attraverso una tensione di gate senza generare strati di inversione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di drenaggio del gate Tempo di disattivazione FET: 6.47 Secondo --> 6.47 Secondo Nessuna conversione richiesta
FET di tensione da gate a drain: 12.784 Volt --> 12.784 Volt Nessuna conversione richiesta
FET potenziale di superficie: 0.01859 Volt --> 0.01859 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) --> 6.47/(1-12.784/0.01859)^(1/3)

Valutare ... ...

C_gd(fet) = -0.733363269576062

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

-0.733363269576062 Farad --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

-0.733363269576062 ≈ -0.733363 Farad <-- Capacità di drenaggio del gate FET

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Mohamed Fazil V

Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore

Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 8 FET Calcolatrici

Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET

Partire Assorbimento della corrente FET = FET conduttanza del canale*(FET di tensione della sorgente di drenaggio+3/2*((FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio-FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2)-(FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2))/((FET potenziale di superficie+Tensione di spegnimento)^(1/2)))

Scarica la tensione della sorgente del FET

Partire FET di tensione della sorgente di drenaggio = Tensione di alimentazione al FET di drenaggio-Assorbimento della corrente FET*(FET di resistenza al drenaggio+FET di resistenza della sorgente)

Transconduttanza del FET

Partire FET a transconduttanza diretta = (2*Corrente di drenaggio polarizzata zero)/Tensione di spegnimento*(1-FET di tensione della sorgente di drenaggio/Tensione di spegnimento)

Capacità della sorgente di gate del FET

Partire FET di capacità della sorgente di gate = Capacità sorgente gate Tempo di disattivazione FET/(1-(FET di tensione della sorgente di drenaggio/FET potenziale di superficie))^(1/3)

Capacità di drenaggio del gate del FET

Partire Capacità di drenaggio del gate FET = Capacità di drenaggio del gate Tempo di disattivazione FET/(1-FET di tensione da gate a drain/FET potenziale di superficie)^(1/3)

Corrente di drenaggio del FET

Partire Assorbimento della corrente FET = Corrente di drenaggio polarizzata zero*(1-FET di tensione della sorgente di drenaggio/FET di tensione di interruzione)^2

Ridurre la tensione del FET

Partire Tensione di spegnimento = FET di tensione della sorgente di drenaggio Pinch OFF-FET di tensione della sorgente di drenaggio

Guadagno di tensione del FET

Partire FET guadagno di tensione = -FET a transconduttanza diretta*FET di resistenza al drenaggio