Gate-Drain-Kapazität des FET Taschenrechner

✖Die Gate-Drain-Kapazitäts-Ausschaltzeit (FET) bezeichnet die Dauer der Entladung der Gate-Drain-Kapazität und beeinflusst die Schalteigenschaften und die Energieeffizienz in elektronischen Schaltkreisen.ⓘ Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET [T_gd-off(fet)]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Spannung ist die Spannungsdifferenz zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines FET.ⓘ Gate-Drain-Spannung FET [V_gd(fet)]			+10% -10%
✖Oberflächenpotential-FETs arbeiten auf Basis des Oberflächenpotentials des Halbleiterkanals und steuern den Stromfluss durch eine Gate-Spannung, ohne Inversionsschichten zu erzeugen.ⓘ Oberflächenpotential-FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Die Gate-Drain-Kapazität des FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des FET. Sie wird durch die Überlappung zwischen den Gate- und Drain-Bereichen verursacht.ⓘ Gate-Drain-Kapazität des FET [C_gd(fet)]

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Formel

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Gate-Drain-Kapazität des FET

Formel

`"C"_{"gd(fet)"} = "T"_{"gd-off(fet)"}/(1-"V"_{"gd(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"})^(1/3)`

Beispiel

`"6.475557F"="6.47s"/(1-"0.0128V"/"4.976V")^(1/3)`

Taschenrechner

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Gate-Drain-Kapazität des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gate-Drain-Kapazität FET = Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-Gate-Drain-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Gate-Drain-Kapazität FET - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität des FET ist die Kapazität zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen des FET. Sie wird durch die Überlappung zwischen den Gate- und Drain-Bereichen verursacht.
Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET - (Gemessen in Zweite) - Die Gate-Drain-Kapazitäts-Ausschaltzeit (FET) bezeichnet die Dauer der Entladung der Gate-Drain-Kapazität und beeinflusst die Schalteigenschaften und die Energieeffizienz in elektronischen Schaltkreisen.
Gate-Drain-Spannung FET - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Drain-Spannung ist die Spannungsdifferenz zwischen den Gate- und Drain-Anschlüssen eines FET.
Oberflächenpotential-FET - (Gemessen in Volt) - Oberflächenpotential-FETs arbeiten auf Basis des Oberflächenpotentials des Halbleiterkanals und steuern den Stromfluss durch eine Gate-Spannung, ohne Inversionsschichten zu erzeugen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET: 6.47 Zweite --> 6.47 Zweite Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Drain-Spannung FET: 0.0128 Volt --> 0.0128 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Oberflächenpotential-FET: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) --> 6.47/(1-0.0128/4.976)^(1/3)

Auswerten ... ...

C_gd(fet) = 6.47555722841382

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

6.47555722841382 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

6.47555722841382 ≈ 6.475557 Farad <-- Gate-Drain-Kapazität FET

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Drain-Strom-FET = Kanalleitfähigkeits-FET*(Drain-Source-Spannung FET+3/2*((Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET)^(3/2)-(Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET)^(3/2))/((Oberflächenpotential-FET+Pinch-OFF-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärts-Transkonduktanz-FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung FET = Versorgungsspannung am Drain-FET-Drain-Strom-FET*(Drain-Widerstand FET+Quellwiderstand FET)

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität FET = Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-(Drain-Source-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET))^(1/3)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-Drain-Kapazität FET = Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-Gate-Drain-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET)^(1/3)

Drainstrom des FET

Gehen Drain-Strom-FET = Null-Vorspannungs-Drainstrom*(1-Drain-Source-Spannung FET/Abschaltspannung FET)^2

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-OFF-Spannung = Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkungs-FET = -Vorwärts-Transkonduktanz-FET*Drain-Widerstand FET

Gate-Drain-Kapazität des FET Formel

Gate-Drain-Kapazität FET = Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-Gate-Drain-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)

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