Permittiviteit van oxidelaag Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖De dikte van de oxidelaag tox wordt bepaald tijdens de procestechnologie die wordt gebruikt om de MOSFET te vervaardigen.ⓘ Dikte van de oxidelaag [t_ox]			+10% -10%
✖Ingangspoortcapaciteit in CMOS verwijst naar de capaciteit tussen de ingangsklemmen van een CMOS-circuit en het referentiepotentiaal (meestal aarde).ⓘ Ingangspoortcapaciteit [C_in]			+10% -10%
✖Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.ⓘ Poortbreedte [W_g]			+10% -10%
✖Lengte van de poort is de maat of omvang van iets van begin tot eind.ⓘ Lengte van de poort [L_g]			+10% -10%

✖Permittiviteit van de oxidelaag wordt gedefinieerd als het vermogen van een stof om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld.ⓘ Permittiviteit van oxidelaag [ε_ox]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Permittiviteit van oxidelaag

Formule

`"ε"_{"ox"} = "t"_{"ox"}*"C"_{"in"}/("W"_{"g"}*"L"_{"g"})`

Voorbeeld

`"149.7994μF/mm"="4.98mm"*"60.01μF"/("0.285mm"*"7mm")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Permittiviteit van oxidelaag Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)
ε_ox = t_ox*C_in/(W_g*L_g)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Permittiviteit van de oxidelaag - (Gemeten in Farad per meter) - Permittiviteit van de oxidelaag wordt gedefinieerd als het vermogen van een stof om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld.
Dikte van de oxidelaag - (Gemeten in Meter) - De dikte van de oxidelaag tox wordt bepaald tijdens de procestechnologie die wordt gebruikt om de MOSFET te vervaardigen.
Ingangspoortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Ingangspoortcapaciteit in CMOS verwijst naar de capaciteit tussen de ingangsklemmen van een CMOS-circuit en het referentiepotentiaal (meestal aarde).
Poortbreedte - (Gemeten in Meter) - Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.
Lengte van de poort - (Gemeten in Meter) - Lengte van de poort is de maat of omvang van iets van begin tot eind.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dikte van de oxidelaag: 4.98 Millimeter --> 0.00498 Meter (Bekijk de conversie hier)
Ingangspoortcapaciteit: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Poortbreedte: 0.285 Millimeter --> 0.000285 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de poort: 7 Millimeter --> 0.007 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ε_ox = t_ox*C_in/(W_g*L_g) --> 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007)

Evalueren ... ...

ε_ox = 0.149799398496241

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.149799398496241 Farad per meter -->149.799398496241 Microfarad per millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

149.799398496241 ≈ 149.7994 Microfarad per millimeter <-- Permittiviteit van de oxidelaag

(Berekening voltooid in 00.010 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Permittiviteit van oxidelaag

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte