Permittività dello strato di ossido Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Permittività dello strato di ossido - (Misurato in Farad al metro) - La permittività dello strato di ossido è definita come la capacità di una sostanza di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.
Spessore dello strato di ossido - (Misurato in metro) - Lo spessore dello strato di ossido tox viene determinato durante la tecnologia di processo utilizzata per fabbricare il MOSFET.
Capacità del gate di ingresso - (Misurato in Farad) - La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).
Larghezza del cancello - (Misurato in metro) - La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.
Lunghezza del cancello - (Misurato in metro) - La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Spessore dello strato di ossido: 4.98 Millimetro --> 0.00498 metro (Controlla la conversione qui)
Capacità del gate di ingresso: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Larghezza del cancello: 0.285 Millimetro --> 0.000285 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del cancello: 7 Millimetro --> 0.007 metro (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
εox = tox*Cin/(Wg*Lg) --> 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007)
Valutare ... ...
εox = 0.149799398496241
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.149799398496241 Farad al metro -->149.799398496241 Microfarad per millimetro (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
149.799398496241 149.7994 Microfarad per millimetro <-- Permittività dello strato di ossido
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS
Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Permittività dello strato di ossido
Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Spessore dello strato di ossido
Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
Larghezza del cancello
Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Larghezza della regione di svuotamento
Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale
Lunghezza effettiva del canale
Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento
Lunghezza giunzione PN
Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Larghezza di transizione del CMOS
Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
Larghezza della diffusione della sorgente
Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
Campo elettrico critico
Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone
CMOS percorso libero medio
Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
Tensione al minimo EDP
Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Permittività dello strato di ossido Formula

Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)

Quali sono le regioni di funzionamento nei transistor MOS?

I transistor MOS hanno tre regioni di funzionamento che includono, regione di taglio o sottosoglia, regione lineare e regione di saturazione.

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