Verzadigingsspanning van MOSFET Rekenmachine

✖Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.ⓘ Gate-bronspanning [V_gs]			+10% -10%
✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_th]			+10% -10%

✖De drain- en source-verzadigingsspanning is de spanning waarbij de FET niet langer als versterker kan werken en de uitgangsspanning wordt vastgezet op een maximale waarde.ⓘ Verzadigingsspanning van MOSFET [V_ds(s)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Verzadigingsspanning van MOSFET

Formule

`"V"_{"ds(s)"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"th"}`

Voorbeeld

`"1.7V"="4V"-"2.3V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Verzadigingsspanning van MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning
V_ds(s) = V_gs-V_th
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Afvoer- en bronverzadigingsspanning - (Gemeten in Volt) - De drain- en source-verzadigingsspanning is de spanning waarbij de FET niet langer als versterker kan werken en de uitgangsspanning wordt vastgezet op een maximale waarde.
Gate-bronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gate-bronspanning: 4 Volt --> 4 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Evalueren ... ...

V_ds(s) = 1.7

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.7 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.7 Volt <-- Afvoer- en bronverzadigingsspanning

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Spanning » Verzadigingsspanning van MOSFET

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 Spanning Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Gemeenschappelijke poortuitgangsspanning

Gaan Uitgangsspanning = -(Transconductantie*Kritische spanning)*((Belastingsweerstand*Poort weerstand)/(Poort weerstand+Belastingsweerstand))

Uitgangsspanning bij afvoer Q1 van MOSFET gegeven Common-Mode-signaal

Gaan Afvoerspanning Q1 = -Uitgangsweerstand*(Transconductantie*Common Mode-ingangssignaal)/(1+(2*Transconductantie*Uitgangsweerstand))

Spanning over poort en bron van MOSFET bij gebruik met differentiële ingangsspanning

Gaan Gate-bronspanning = Drempelspanning+sqrt((2*DC-biasstroom)/(Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding))

Broningangsspanning

Gaan Broningangsspanning = Ingangsspanning*(Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Equivalente bronweerstand))

Ingangspoort-naar-bronspanning

Gaan Kritische spanning = (Ingangsversterkerweerstand/(Ingangsversterkerweerstand+Equivalente bronweerstand))*Ingangsspanning

Uitgangsspanning bij afvoer Q2 van MOSFET gegeven Common-Mode-signaal

Gaan Afvoerspanning Q2 = -(Uitgangsweerstand/((1/Transconductantie)+2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal

Overdrive-spanning wanneer MOSFET fungeert als versterker met belastingsweerstand

Gaan Transconductantie = Totale stroom/(Common Mode-ingangssignaal-(2*Totale stroom*Uitgangsweerstand))

Incrementeel spanningssignaal van differentiële versterker

Gaan Common Mode-ingangssignaal = (Totale stroom/Transconductantie)+(2*Totale stroom*Uitgangsweerstand)

Spanning over poort en bron van MOSFET gegeven ingangsstroom

Gaan Gate-bronspanning = Invoerstroom/(Hoekfrequentie*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Positieve spanning gegeven apparaatparameter in MOSFET

Gaan Invoerstroom = Gate-bronspanning*(Hoekfrequentie*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Spanning bij afvoer Q1 van MOSFET

Gaan Uitgangsspanning = -(Totale belastingsweerstand van MOSFET/(2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal

Spanning bij afvoer Q2 in MOSFET

Gaan Uitgangsspanning = -(Totale belastingsweerstand van MOSFET/(2*Uitgangsweerstand))*Common Mode-ingangssignaal

Verzadigingsspanning van MOSFET

Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning

Spanning over poort naar bron van MOSFET op differentiële ingangsspanning gegeven overdrive-spanning

Gaan Gate-bronspanning = Drempelspanning+1.4*Effectieve spanning

Drempelspanning wanneer MOSFET fungeert als versterker

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Drempelspanning van MOSFET

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Overstuurspanning

Gaan Overdrive-spanning = (2*Afvoerstroom)/Transconductantie

Uitgangsspanning bij afvoer Q1 van MOSFET

Gaan Afvoerspanning Q1 = -(Uitgangsweerstand*Totale stroom)

Uitgangsspanning bij afvoer Q2 van MOSFET

Gaan Afvoerspanning Q2 = -(Uitgangsweerstand*Totale stroom)

< 15 MOSFET-karakteristieken Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*(1/(1/Belastingsweerstand+1/Uitgangsweerstand))/(1+Transconductantie*Bron weerstand)

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Maximale spanningsversterking op biaspunt

Gaan Maximale spanningsversterking = 2*(Voedingsspanning-Effectieve spanning)/(Effectieve spanning)

Spanningsversterking met klein signaal

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*1/(1/Belastingsweerstand+1/Eindige weerstand)

Spanningsversterking gegeven afvoerspanning

Gaan Spanningsversterking = (Afvoerstroom*Belastingsweerstand*2)/Effectieve spanning

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Lichaamseffect op transconductantie

Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie

Maximale spanningsversterking bij alle spanningen

Gaan Maximale spanningsversterking = (Voedingsspanning-0.3)/Thermische spanning

Verzadigingsspanning van MOSFET

Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning

Voorspanning van MOSFET

Gaan Totale momentane biasspanning = DC-voorspanning+Gelijkstroomspanning

Versterkingsfactor in MOSFET-model met klein signaal

Gaan Versterkingsfactor = Transconductantie*Uitgangsweerstand

Transconductantie in MOSFET

Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning

Drempelspanning van MOSFET

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

Gaan Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand

Verzadigingsspanning van MOSFET Formule

Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning
V_ds(s) = V_gs-V_th

Wat is het verzadigingsgebied van MOSFET?

In het verzadigings- of lineaire gebied zal de transistor worden voorgespannen zodat de maximale hoeveelheid poortspanning op het apparaat wordt toegepast, wat resulteert in de kanaalweerstand RDS (die zo klein mogelijk is met maximale afvoerstroom die door de MOSFET-schakelaar vloeit.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!