Tensione di saturazione del MOSFET calcolatrice

✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione gate-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_th]			+10% -10%

✖La tensione di saturazione di drain e source è la tensione alla quale il FET non può più funzionare come amplificatore e la sua tensione di uscita si fissa su un valore massimo.ⓘ Tensione di saturazione del MOSFET [V_ds(s)]

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Formula

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Tensione di saturazione del MOSFET

Formula

`"V"_{"ds(s)"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"th"}`

Esempio

`"1.7V"="4V"-"2.3V"`

Calcolatrice

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Tensione di saturazione del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio
V_ds(s) = V_gs-V_th
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di saturazione di drain e source - (Misurato in Volt) - La tensione di saturazione di drain e source è la tensione alla quale il FET non può più funzionare come amplificatore e la sua tensione di uscita si fissa su un valore massimo.
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Valutare ... ...

V_ds(s) = 1.7

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.7 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.7 Volt <-- Tensione di saturazione di drain e source

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Voltaggio Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Tensione di uscita del gate comune

Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))

Tensione di ingresso della sorgente

Partire Tensione di ingresso della sorgente = Tensione di ingresso*(Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))

Tensione gate-to-source in ingresso

Partire Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

Partire Tensione gate-source = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

Partire Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Tensione di overdrive quando il MOSFET funge da amplificatore con resistenza di carico

Partire Transconduttanza = Corrente totale/(Segnale di ingresso in modalità comune-(2*Corrente totale*Resistenza di uscita))

Segnale di tensione incrementale dell'amplificatore differenziale

Partire Segnale di ingresso in modalità comune = (Corrente totale/Transconduttanza)+(2*Corrente totale*Resistenza di uscita)

Tensione al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione al Drain Q2 nel MOSFET

Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Tensione di overdrive

Partire Tensione di overdrive = (2*Assorbimento di corrente)/Transconduttanza

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive

Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+1.4*Tensione effettiva

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET

Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

< 15 Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)

Guadagno di tensione data la tensione di drain

Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva

Guadagno di tensione usando il segnale piccolo

Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza finita)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Tensione di polarizzazione del MOSFET

Partire Tensione di polarizzazione istantanea totale = Tensione di polarizzazione CC+Tensione CC

Tensione di saturazione del MOSFET

Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio

Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Fattore di amplificazione nel modello MOSFET a piccolo segnale

Partire Fattore di amplificazione = Transconduttanza*Resistenza di uscita

Tensione di soglia del MOSFET

Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

Tensione di saturazione del MOSFET Formula

Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio
V_ds(s) = V_gs-V_th

Qual è la regione di saturazione del MOSFET?

Nella regione di saturazione o lineare, il transistor sarà polarizzato in modo tale che la quantità massima di tensione di gate sia applicata al dispositivo che si traduce nella resistenza del canale RDS (essendo il più piccola possibile con la massima corrente di drain che scorre attraverso l'interruttore MOSFET.

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