Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET Kalkulator

✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%

✖Napięcie nasycenia drenu i źródła to napięcie, przy którym FET nie może już działać jako wzmacniacz, a jego napięcie wyjściowe zostaje ustalone na wartości maksymalnej.ⓘ Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET [V_ds(s)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Formuła

`"V"_{"ds(s)"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"th"}`

Przykład

`"1.7V"="4V"-"2.3V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia
V_ds(s) = V_gs-V_th
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie nasycenia drenu i źródła - (Mierzone w Wolt) - Napięcie nasycenia drenu i źródła to napięcie, przy którym FET nie może już działać jako wzmacniacz, a jego napięcie wyjściowe zostaje ustalone na wartości maksymalnej.
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 2.3 Wolt --> 2.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Ocenianie ... ...

V_ds(s) = 1.7

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.7 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.7 Wolt <-- Napięcie nasycenia drenu i źródła

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 20 Napięcie Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki

Iść Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+sqrt((2*Prąd polaryzacji DC)/(Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji))

Źródło napięcia wejściowego

Iść Źródło napięcia wejściowego = Napięcie wejściowe*(Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))

Napięcie wejściowe bramka-źródło

Iść Napięcie krytyczne = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))*Napięcie wejściowe

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Iść Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia

Iść Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))

Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego

Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (Całkowity prąd/Transkonduktancja)+(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa)

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na drenie Q2 w MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie

Napięcie przesterowania

Iść Napięcie przesterowania = (2*Prąd spustowy)/Transkonduktancja

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

< 15 Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Napięcie polaryzacji MOSFET-u

Iść Całkowite chwilowe napięcie polaryzacji = Napięcie polaryzacji DC+Napięcie prądu stałego

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET Formułę

Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia
V_ds(s) = V_gs-V_th

Co to jest obszar nasycenia MOSFET?

W obszarze nasycenia lub liniowym tranzystor będzie spolaryzowany tak, że maksymalna ilość napięcia bramki jest przyłożona do urządzenia, co skutkuje rezystancją kanału RDS (możliwie najmniejszą z maksymalnym prądem drenu przepływającym przez przełącznik MOSFET).

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!