Tensão de saturação do MOSFET Calculadora

✖A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.ⓘ Tensão Gate-Fonte [V_gs]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_th]			+10% -10%

✖A tensão de saturação do dreno e da fonte é a tensão na qual o FET não pode mais operar como um amplificador e sua tensão de saída se fixa em um valor máximo.ⓘ Tensão de saturação do MOSFET [V_ds(s)]

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Fórmula

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Tensão de saturação do MOSFET

Fórmula

`"V"_{"ds(s)"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"th"}`

Exemplo

`"1.7V"="4V"-"2.3V"`

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Tensão de saturação do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar
V_ds(s) = V_gs-V_th
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão de saturação de dreno e fonte - (Medido em Volt) - A tensão de saturação do dreno e da fonte é a tensão na qual o FET não pode mais operar como um amplificador e sua tensão de saída se fixa em um valor máximo.
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Avaliando ... ...

V_ds(s) = 1.7

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.7 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.7 Volt <-- Tensão de saturação de dreno e fonte

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 20 Tensão Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Tensão de saída da porta comum

Vai Voltagem de saída = -(Transcondutância*Tensão Crítica)*((Resistência de carga*Resistência do portão)/(Resistência do portão+Resistência de carga))

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum

Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))

Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial

Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela))

Tensão de entrada da fonte

Vai Tensão de entrada da fonte = Tensão de entrada*(Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))

Tensão de entrada porta-fonte

Vai Tensão Crítica = (Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))*Tensão de entrada

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum

Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada

Vai Tensão Gate-Fonte = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET

Vai Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Tensão de overdrive quando o MOSFET atua como amplificador com resistência de carga

Vai Transcondutância = Corrente Total/(Sinal de entrada de modo comum-(2*Corrente Total*Resistência de saída))

Sinal de Tensão Incremental do Amplificador Diferencial

Vai Sinal de entrada de modo comum = (Corrente Total/Transcondutância)+(2*Corrente Total*Resistência de saída)

Tensão no dreno Q1 do MOSFET

Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão no Dreno Q2 no MOSFET

Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Tensão Overdrive

Vai Tensão de ultrapassagem = (2*Corrente de drenagem)/Transcondutância

Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET

Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET

Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)

Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive

Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+1.4*Tensão Efetiva

Tensão limite quando o MOSFET atua como amplificador

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

< 15 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Ganho de tensão máximo no ponto de polarização

Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)

Ganho de tensão usando sinal pequeno

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)

Ganho de tensão dada tensão de dreno

Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva

Tensão de polarização do MOSFET

Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Tensão de saturação do MOSFET

Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar

Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões

Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno

Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída

Tensão limite do MOSFET

Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Condutância na Resistência Linear do MOSFET

Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Tensão de saturação do MOSFET Fórmula

Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar
V_ds(s) = V_gs-V_th

Qual é a região de saturação do MOSFET?

Na saturação ou região linear, o transistor será polarizado de modo que a quantidade máxima de tensão de porta seja aplicada ao dispositivo, o que resulta na resistência do canal RDS (por ser o menor possível com a corrente de drenagem máxima fluindo através do interruptor MOSFET.

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