Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT Rekenmachine

✖Een constante waarde van een apparaat wordt eenmaal gedefinieerd en er kan in een programma vele malen naar worden verwezen.ⓘ Apparaat constant [𝛕_F]			+10% -10%
✖Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctietransistor.ⓘ Collector Stroom [I_c]			+10% -10%
✖Drempelspanning van transistor is de minimale gate-naar-source-spanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.ⓘ Drempelspanning [V_th]			+10% -10%

✖Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.ⓘ Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT [C_eb]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

Formule

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*("I"_{"c"}/"V"_{"th"})`

Voorbeeld

`"1818.182μF"="2s"*("5mA"/"5.50V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Emitter-basis capaciteit - (Gemeten in Farad) - Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.
Apparaat constant - (Gemeten in Seconde) - Een constante waarde van een apparaat wordt eenmaal gedefinieerd en er kan in een programma vele malen naar worden verwezen.
Collector Stroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctietransistor.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning van transistor is de minimale gate-naar-source-spanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Apparaat constant: 2 Seconde --> 2 Seconde Geen conversie vereist
Collector Stroom: 5 milliampère --> 0.005 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Drempelspanning: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th) --> 2*(0.005/5.5)

Evalueren ... ...

C_eb = 0.00181818181818182

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00181818181818182 Farad -->1818.18181818182 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1818.18181818182 ≈ 1818.182 Microfarad <-- Emitter-basis capaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 10+ Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Collector-Base Junction Capaciteit

Gaan Collector-Base Junction Capaciteit = Collector-Base Junction Capaciteit bij 0 spanning/(1+(Omgekeerde voorspanning/Ingebouwde spanning))^Beoordelingscoëfficiënt

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis

Gaan Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie

Overgangsfrequentie van BJT gegeven apparaatconstante

Gaan Overgangsfrequentie = 1/(2*pi*Apparaat constant)

Base-Emitter Junction Capaciteit

Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT Formule

Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)
C_eb = 𝛕_F*(I_c/V_th)

Wat is het verschil tussen overgangscapaciteit en diffusiecapaciteit?

Overgangscapaciteit is in feite de verandering van lading die is opgeslagen in het uitputtingsgebied met betrekking tot een verandering in spanning. En diffusiecapaciteit is de capaciteit die wordt veroorzaakt door beweging van ladingsdragers tussen anode naar kathode in de voorwaarts voorgespannen modus.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!