Overgangsfrequentie van BJT Rekenmachine

✖Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.ⓘ Transconductantie [G_m]			+10% -10%
✖Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.ⓘ Emitter-basis capaciteit [C_eb]			+10% -10%
✖Collector-Base Junction Capaciteit in actieve modus is omgekeerd voorgespannen en is de capaciteit tussen collector en basis.ⓘ Collector-Base Junction Capaciteit [C_cb]			+10% -10%

✖De overgangsfrequentie die hoort bij de overgang (1 naar 2 of 2 naar 1) tussen twee verschillende trillingsniveaus.ⓘ Overgangsfrequentie van BJT [f_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Overgangsfrequentie van BJT

Formule

`"f"_{"t"} = "G"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"}))`

Voorbeeld

`"101.3876Hz"="1.72mS"/(2*pi*("1.5μF"+"1.2μF"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Overgangsfrequentie van BJT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288

Variabelen gebruikt

Overgangsfrequentie - (Gemeten in Hertz) - De overgangsfrequentie die hoort bij de overgang (1 naar 2 of 2 naar 1) tussen twee verschillende trillingsniveaus.
Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.
Emitter-basis capaciteit - (Gemeten in Farad) - Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.
Collector-Base Junction Capaciteit - (Gemeten in Farad) - Collector-Base Junction Capaciteit in actieve modus is omgekeerd voorgespannen en is de capaciteit tussen collector en basis.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transconductantie: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Emitter-basis capaciteit: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Bekijk de conversie hier)
Collector-Base Junction Capaciteit: 1.2 Microfarad --> 1.2E-06 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb)) --> 0.00172/(2*pi*(1.5E-06+1.2E-06))

Evalueren ... ...

f_t = 101.387593377059

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

101.387593377059 Hertz --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

101.387593377059 ≈ 101.3876 Hertz <-- Overgangsfrequentie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Overgangsfrequentie van BJT

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< 10+ Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Collector-Base Junction Capaciteit

Gaan Collector-Base Junction Capaciteit = Collector-Base Junction Capaciteit bij 0 spanning/(1+(Omgekeerde voorspanning/Ingebouwde spanning))^Beoordelingscoëfficiënt

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis

Gaan Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie

Overgangsfrequentie van BJT gegeven apparaatconstante

Gaan Overgangsfrequentie = 1/(2*pi*Apparaat constant)

Base-Emitter Junction Capaciteit

Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

< 20 BJT-circuit Rekenmachines

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van verzadigingsstroom

Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Totaal gedissipeerd vermogen in BJT

Gaan Stroom = Collector-emitterspanning*Collector Stroom+Basis-emitterspanning*Basisstroom

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Referentiestroom van BJT-spiegel

Gaan Referentiestroom = Collector Stroom+(2*Collector Stroom)/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Common-Base stroomversterking

Gaan Common-Base stroomversterking = Stroomversterking gemeenschappelijke emitter/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Common Mode Rejection Ratio

Gaan Common Mode-afwijzingsratio = 20*log10(Differentiële modusversterking/Common Mode-versterking)

Uitgangsweerstand van BJT

Gaan Weerstand = (Voedingsspanning+Collector-emitterspanning)/Collector Stroom

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Uitgangsspanning van BJT-versterker

Gaan Uitgangsspanning = Voedingsspanning-Afvoerstroom*Weerstand laden

Totaal geleverd vermogen in BJT

Gaan Stroom = Voedingsspanning*(Collector Stroom+Invoerstroom)

Basisstroom van PNP-transistor gegeven emitterstroom

Gaan Basisstroom = Zender Stroom/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van collectorstroom

Gaan Basisstroom = Collector Stroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Collector-emitterspanning bij verzadiging

Gaan Collector-emitterspanning = Basis-emitterspanning-Basiscollectorspanning

Collectorstroom met behulp van emitterstroom

Gaan Collector Stroom = Common-Base stroomversterking*Zender Stroom

Basisstroom van PNP-transistor met Common-Base Current Gain

Gaan Basisstroom = (1-Common-Base stroomversterking)*Zender Stroom

Intrinsieke winst van BJT

Gaan Intrinsieke winst = Vroege spanning/Thermische spanning

Transconductantie door kortsluiting

Gaan Transconductantie = Uitgangsstroom/Ingangsspanning

Collectorstroom van BJT

Gaan Collector Stroom = Zender Stroom-Basisstroom

Zenderstroom van BJT

Gaan Zender Stroom = Collector Stroom+Basisstroom

Overgangsfrequentie van BJT Formule

Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))

Wat is de functie van BJT?

De belangrijkste basisfunctie van een BJT is om de stroom te versterken, waardoor BJT's als versterkers of schakelaars kunnen worden gebruikt om brede toepasbaarheid in elektronische apparatuur te produceren, waaronder mobiele telefoons, industriële besturing, televisie en radiozenders.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!