Unity-Gain-bandbreedte van BJT Rekenmachine

✖Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.ⓘ Transconductantie [G_m]			+10% -10%
✖Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.ⓘ Emitter-basis capaciteit [C_eb]			+10% -10%
✖Collector-Base Junction Capaciteit in actieve modus is omgekeerd voorgespannen en is de capaciteit tussen collector en basis.ⓘ Collector-Base Junction Capaciteit [C_cb]			+10% -10%

✖Unity-Gain Bandwidth is gewoon de frequentie van een ingangssignaal waarbij de open-loop gain gelijk is aan 1.ⓘ Unity-Gain-bandbreedte van BJT [ω_T]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Formule

`"ω"_{"T"} = "G"_{"m"}/("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"})`

Voorbeeld

`"637.037Hz"="1.72mS"/("1.5μF"+"1.2μF")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Unity-Gain-bandbreedte van BJT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)
ω_T = G_m/(C_eb+C_cb)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Unity-Gain-bandbreedte - (Gemeten in Hertz) - Unity-Gain Bandwidth is gewoon de frequentie van een ingangssignaal waarbij de open-loop gain gelijk is aan 1.
Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.
Emitter-basis capaciteit - (Gemeten in Farad) - Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.
Collector-Base Junction Capaciteit - (Gemeten in Farad) - Collector-Base Junction Capaciteit in actieve modus is omgekeerd voorgespannen en is de capaciteit tussen collector en basis.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transconductantie: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Emitter-basis capaciteit: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Bekijk de conversie hier)
Collector-Base Junction Capaciteit: 1.2 Microfarad --> 1.2E-06 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ω_T = G_m/(C_eb+C_cb) --> 0.00172/(1.5E-06+1.2E-06)

Evalueren ... ...

ω_T = 637.037037037037

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

637.037037037037 Hertz --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

637.037037037037 ≈ 637.037 Hertz <-- Unity-Gain-bandbreedte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Anshika Arya

Nationaal Instituut voor Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 2500+ rekenmachines!

< 10+ Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Collector-Base Junction Capaciteit

Gaan Collector-Base Junction Capaciteit = Collector-Base Junction Capaciteit bij 0 spanning/(1+(Omgekeerde voorspanning/Ingebouwde spanning))^Beoordelingscoëfficiënt

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis

Gaan Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie

Overgangsfrequentie van BJT gegeven apparaatconstante

Gaan Overgangsfrequentie = 1/(2*pi*Apparaat constant)

Base-Emitter Junction Capaciteit

Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

< 20 BJT-circuit Rekenmachines

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van verzadigingsstroom

Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Totaal gedissipeerd vermogen in BJT

Gaan Stroom = Collector-emitterspanning*Collector Stroom+Basis-emitterspanning*Basisstroom

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Referentiestroom van BJT-spiegel

Gaan Referentiestroom = Collector Stroom+(2*Collector Stroom)/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Common-Base stroomversterking

Gaan Common-Base stroomversterking = Stroomversterking gemeenschappelijke emitter/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Common Mode Rejection Ratio

Gaan Common Mode-afwijzingsratio = 20*log10(Differentiële modusversterking/Common Mode-versterking)

Uitgangsweerstand van BJT

Gaan Weerstand = (Voedingsspanning+Collector-emitterspanning)/Collector Stroom

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Uitgangsspanning van BJT-versterker

Gaan Uitgangsspanning = Voedingsspanning-Afvoerstroom*Weerstand laden

Totaal geleverd vermogen in BJT

Gaan Stroom = Voedingsspanning*(Collector Stroom+Invoerstroom)

Basisstroom van PNP-transistor gegeven emitterstroom

Gaan Basisstroom = Zender Stroom/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van collectorstroom

Gaan Basisstroom = Collector Stroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Collector-emitterspanning bij verzadiging

Gaan Collector-emitterspanning = Basis-emitterspanning-Basiscollectorspanning

Collectorstroom met behulp van emitterstroom

Gaan Collector Stroom = Common-Base stroomversterking*Zender Stroom

Basisstroom van PNP-transistor met Common-Base Current Gain

Gaan Basisstroom = (1-Common-Base stroomversterking)*Zender Stroom

Intrinsieke winst van BJT

Gaan Intrinsieke winst = Vroege spanning/Thermische spanning

Transconductantie door kortsluiting

Gaan Transconductantie = Uitgangsstroom/Ingangsspanning

Collectorstroom van BJT

Gaan Collector Stroom = Zender Stroom-Basisstroom

Zenderstroom van BJT

Gaan Zender Stroom = Collector Stroom+Basisstroom

Unity-Gain-bandbreedte van BJT Formule

Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)
ω_T = G_m/(C_eb+C_cb)

Wat is de eenheidsversterkingsfrequentie?

De frequentie waarmee het uitgangssignaal wordt verminderd met −3 db. De versterker wordt getest in een eenheidsversterkingsconfiguratie, met een klein signaal toegepast, meestal 200 mV pp. Een laag-niveausignaal wordt gebruikt om de bandbreedte te bepalen, omdat dit de effecten van de slew-rate-limiet op het signaal elimineert.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!