Klein-signaalverspreidingscapaciteit Rekenmachine

✖Een constante waarde van een apparaat wordt eenmaal gedefinieerd en er kan in een programma vele malen naar worden verwezen.ⓘ Apparaat constant [𝛕_F]			+10% -10%
✖Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.ⓘ Transconductantie [G_m]			+10% -10%

✖Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.ⓘ Klein-signaalverspreidingscapaciteit [C_eb]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

Formule

`"C"_{"eb"} = "𝛕"_{"F"}*"G"_{"m"}`

Voorbeeld

`"3440μF"="2s"*"1.72mS"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Klein-signaalverspreidingscapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie
C_eb = 𝛕_F*G_m
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Emitter-basis capaciteit - (Gemeten in Farad) - Emitter-base capaciteit is de capaciteit tussen de emitter en de basis.
Apparaat constant - (Gemeten in Seconde) - Een constante waarde van een apparaat wordt eenmaal gedefinieerd en er kan in een programma vele malen naar worden verwezen.
Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Apparaat constant: 2 Seconde --> 2 Seconde Geen conversie vereist
Transconductantie: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_eb = 𝛕_F*G_m --> 2*0.00172

Evalueren ... ...

C_eb = 0.00344

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00344 Farad -->3440 Microfarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

3440 Microfarad <-- Emitter-basis capaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Klein-signaalverspreidingscapaciteit

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 11 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Collector-basiscapaciteit

Gaan Collectorbasiscapaciteit = Zenderbasisverbindingsgebied*sqrt((Aanval*Permittiviteit*Dopingdichtheid)/(2*(Ingebouwd potentieel+Omgekeerde bias-verbinding)))

Collector-Base Junction Capaciteit

Gaan Collector-Base Junction Capaciteit = Collector-Base Junction Capaciteit bij 0 spanning/(1+(Omgekeerde voorspanning/Ingebouwde spanning))^Beoordelingscoëfficiënt

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis

Gaan Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie

Overgangsfrequentie van BJT gegeven apparaatconstante

Gaan Overgangsfrequentie = 1/(2*pi*Apparaat constant)

Base-Emitter Junction Capaciteit

Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

Klein-signaalverspreidingscapaciteit Formule

Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie
C_eb = 𝛕_F*G_m

Wat is het verschil tussen overgangscapaciteit en diffusiecapaciteit?

Overgangscapaciteit is in feite de verandering van lading die is opgeslagen in het uitputtingsgebied met betrekking tot een verandering in spanning. En diffusiecapaciteit is de capaciteit die wordt veroorzaakt door beweging van ladingsdragers tussen anode naar kathode in de voorwaarts voorgespannen modus.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!