Subdrempel Helling Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie

Analoog VLSI-ontwerp

✖Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.ⓘ Bron Lichaamspotentieelverschil [V_sb]			+10% -10%
✖De DIBL-coëfficiënt in een cmos-apparaat wordt doorgaans weergegeven in de orde van 0,1.ⓘ DIBL-coëfficiënt [η]			+10% -10%

✖Sub Threshold Slope is een kenmerk van de stroom-spanningskarakteristiek van een MOSFET.ⓘ Subdrempel Helling [S]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Subdrempel Helling

Formule

`"S" = "V"_{"sb"}*"η"*ln(10)`

Voorbeeld

`"0.626303"="1.36V"*"0.2"*ln(10)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Subdrempel Helling Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 3 Variabelen

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Helling onder de drempel - Sub Threshold Slope is een kenmerk van de stroom-spanningskarakteristiek van een MOSFET.
Bron Lichaamspotentieelverschil - (Gemeten in Volt) - Het potentiaalverschil van het bronlichaam wordt berekend wanneer een extern aangelegde potentiaal gelijk is aan de som van de spanningsval over de oxidelaag en de spanningsval over de halfgeleider.
DIBL-coëfficiënt - De DIBL-coëfficiënt in een cmos-apparaat wordt doorgaans weergegeven in de orde van 0,1.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Bron Lichaamspotentieelverschil: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Geen conversie vereist
DIBL-coëfficiënt: 0.2 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

S = V_sb*η*ln(10) --> 1.36*0.2*ln(10)

Evalueren ... ...

S = 0.626303145294381

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.626303145294381 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.626303145294381 ≈ 0.626303 <-- Helling onder de drempel

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Subdrempel Helling

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Subdrempel Helling Formule

Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)

Wat geeft de helling onder de drempel aan?

De helling onder de drempelwaarde geeft aan hoeveel de poortspanning moet dalen om de lekstroom met een orde van grootte te verminderen. Een typische waarde is 100 mV/decade bij kamertemperatuur.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!