Sublimiar Inclinação Calculadora

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Otimização de materiais VLSI

Projeto VLSI analógico

✖A diferença de potencial do corpo da fonte é calculada quando um potencial aplicado externamente é igual à soma da queda de tensão na camada de óxido e da queda de tensão no semicondutor.ⓘ Diferença potencial do corpo de origem [V_sb]			+10% -10%
✖O coeficiente DIBL em um dispositivo CMOS é normalmente representado na ordem de 0,1.ⓘ Coeficiente DIBL [η]			+10% -10%

✖Sub Threshold Slope é um recurso da característica de tensão de corrente de um MOSFET.ⓘ Sublimiar Inclinação [S]

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Fórmula

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Sublimiar Inclinação

Fórmula

`"S" = "V"_{"sb"}*"η"*ln(10)`

Exemplo

`"0.626303"="1.36V"*"0.2"*ln(10)`

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Sublimiar Inclinação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)
Esta fórmula usa 1 Funções, 3 Variáveis

Funções usadas

ln - O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)

Variáveis Usadas

Inclinação Sublimiar - Sub Threshold Slope é um recurso da característica de tensão de corrente de um MOSFET.
Diferença potencial do corpo de origem - (Medido em Volt) - A diferença de potencial do corpo da fonte é calculada quando um potencial aplicado externamente é igual à soma da queda de tensão na camada de óxido e da queda de tensão no semicondutor.
Coeficiente DIBL - O coeficiente DIBL em um dispositivo CMOS é normalmente representado na ordem de 0,1.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Diferença potencial do corpo de origem: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Nenhuma conversão necessária
Coeficiente DIBL: 0.2 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

S = V_sb*η*ln(10) --> 1.36*0.2*ln(10)

Avaliando ... ...

S = 0.626303145294381

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.626303145294381 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.626303145294381 ≈ 0.626303 <-- Inclinação Sublimiar

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras

Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI

Vai Densidade de carga da região de esgotamento em massa = -(1-((Extensão lateral da região de esgotamento com fonte+Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno)/(2*Comprimento do canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentração do aceitante*abs(2*Potencial de Superfície))

Coeficiente de Efeito Corporal

Vai Coeficiente de Efeito Corporal = modulus((Tensão de limiar-Tensão Limite DIBL)/(sqrt(Potencial de Superfície+(Diferença potencial do corpo de origem))-sqrt(Potencial de Superfície)))

Tensão integrada de junção VLSI

Vai Tensão interna de junção = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentração do aceitante*Concentração de doadores/(Concentração Intrínseca)^2)

Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI

Vai Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensão interna de junção)/([Charge-e]*Concentração do aceitante))

Capacitância Parasítica da Fonte Total

Vai Fonte de capacitância parasita = (Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte*Área de Difusão de Fonte)+(Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral*Perímetro da parede lateral de difusão da fonte)

Corrente de saturação de canal curto VLSI

Vai Corrente de saturação de canal curto = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Tensão da fonte de drenagem de saturação

Corrente de junção

Vai Corrente de Junção = (Potência Estática/Tensão do Coletor Base)-(Corrente Sublimiar+Corrente de contenção+Corrente do portão)

Potencial de Superfície

Vai Potencial de Superfície = 2*Diferença potencial do corpo de origem*ln(Concentração do aceitante/Concentração Intrínseca)

Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão

Vai Comprimento do portão = Capacitância do portão/(Capacitância da camada de óxido de porta*Largura do portão)

Capacitância de Óxido de Porta

Vai Capacitância da camada de óxido de porta = Capacitância do portão/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Capacitância da porta

Vai Capacitância do portão = Taxa de canal/(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Coeficiente DIBL

Vai Coeficiente DIBL = (Tensão Limite DIBL-Tensão de limiar)/Drenar para Potencial de Fonte

Tensão de limiar

Vai Tensão de limiar = Tensão do portão para o canal-(Taxa de canal/Capacitância do portão)

Carga do canal

Vai Taxa de canal = Capacitância do portão*(Tensão do portão para o canal-Tensão de limiar)

Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal

Vai Tensão Limite DIBL = Coeficiente DIBL*Drenar para Potencial de Fonte+Tensão de limiar

Sublimiar Inclinação

Vai Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)

Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI

Vai Capacitância de óxido após escala completa = Capacitância de Óxido por Unidade de Área*Fator de escala

Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI

Vai Espessura do óxido de porta após escala completa = Espessura do Óxido de Porta/Fator de escala

Capacitância de porta intrínseca

Vai Capacitância de sobreposição de porta MOS = Capacitância da Porta MOS*Largura da transição

Tensão Crítica

Vai Tensão Crítica = Campo Elétrico Crítico*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Profundidade da junção após Full Scaling VLSI

Vai Profundidade da junção após escala completa = Profundidade da Junção/Fator de escala

Comprimento do canal após Full Scaling VLSI

Vai Comprimento do canal após escala completa = Comprimento do canal/Fator de escala

Largura do canal após Full Scaling VLSI

Vai Largura do canal após escala completa = Largura de banda/Fator de escala

Mobilidade em Mosfet

Vai Mobilidade em MOSFET = K Prime/Capacitância da camada de óxido de porta

K-Prime

Vai K Prime = Mobilidade em MOSFET*Capacitância da camada de óxido de porta

Sublimiar Inclinação Fórmula

Inclinação Sublimiar = Diferença potencial do corpo de origem*Coeficiente DIBL*ln(10)
S = V_sb*η*ln(10)

O que a inclinação do sublimiar indica?

A inclinação do sublimiar indica o quanto a tensão da porta deve cair para diminuir a corrente de fuga em uma ordem de magnitude. Um valor típico é 100 mV/década à temperatura ambiente.

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