Pendenza sottosoglia Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)
S = Vsb*η*ln(10)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 3 Variabili
Funzioni utilizzate
ln - Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)
Variabili utilizzate
Pendenza sottosoglia - La pendenza sottosoglia è una caratteristica della caratteristica corrente-tensione di un MOSFET.
Differenza di potenziale del corpo sorgente - (Misurato in Volt) - La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.
Coefficiente DIBL - Il coefficiente DIBL in un dispositivo cmos è rappresentato tipicamente nell'ordine di 0,1.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Differenza di potenziale del corpo sorgente: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Nessuna conversione richiesta
Coefficiente DIBL: 0.2 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
S = Vsb*η*ln(10) --> 1.36*0.2*ln(10)
Valutare ... ...
S = 0.626303145294381
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.626303145294381 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.626303145294381 0.626303 <-- Pendenza sottosoglia
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

25 Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI
Partire Densità di carica della regione di esaurimento di massa = -(1-((Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente+Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio)/(2*Lunghezza del canale)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))
Coefficiente di effetto corporeo
Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))
Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI
Partire Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))
Tensione incorporata di giunzione VLSI
Partire Tensione incorporata di giunzione = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2)
Capacità parassita della sorgente totale
Partire Capacità parassita della sorgente = (Capacità tra giunzione del corpo e sorgente*Area di diffusione della sorgente)+(Capacità tra la giunzione del corpo e la parete laterale*Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente)
Corrente di saturazione del canale corto VLSI
Partire Corrente di saturazione del canale corto = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione
Corrente di giunzione
Partire Corrente di giunzione = (Potenza statica/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente del cancello)
Potenziale di superficie
Partire Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)
Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate
Partire Lunghezza del cancello = Capacità del cancello/(Capacità dello strato di ossido di gate*Larghezza del cancello)
Capacità dell'ossido di gate
Partire Capacità dello strato di ossido di gate = Capacità del cancello/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Tensione di soglia quando la sorgente è al potenziale corporeo
Partire Tensione di soglia DIBL = Coefficiente DIBL*Drenare al potenziale di origine+Soglia di voltaggio
Coefficiente DIBL
Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine
Soglia di voltaggio
Partire Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)
Capacità del gate
Partire Capacità del cancello = Carica del canale/(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Pendenza sottosoglia
Partire Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)
Channel Charge
Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)
Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo = Capacità di ossido per unità di area*Fattore di scala
Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo = Profondità di giunzione/Fattore di scala
Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa = Spessore dell'ossido di gate/Fattore di scala
Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Lunghezza del canale/Fattore di scala
Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo = Larghezza del canale/Fattore di scala
Tensione critica
Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
Capacità intrinseca di gate
Partire Capacità di sovrapposizione del gate MOS = Capacità del gate MOS*Larghezza di transizione
Mobilità in Mosfet
Partire Mobilità nei MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate
K-Prime
Partire K Primo = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate

Pendenza sottosoglia Formula

Pendenza sottosoglia = Differenza di potenziale del corpo sorgente*Coefficiente DIBL*ln(10)
S = Vsb*η*ln(10)

Cosa indica la pendenza della sottosoglia?

La pendenza della sottosoglia indica di quanto deve diminuire la tensione di gate per diminuire la corrente di dispersione di un ordine di grandezza. Un valore tipico è 100 mV/decennio a temperatura ambiente.

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