Prąd emitera IGBT Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Prąd emitera = Prąd dziury+Prąd elektroniczny
Iemiy = Ih+Ie
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Prąd emitera - (Mierzone w Amper) - Prąd emitera IGBT to prąd płynący do emitera urządzenia. Prąd emitera jest określany przez obciążenie podłączone do kolektora IGBT.
Prąd dziury - (Mierzone w Amper) - Prąd dziurowy w IGBT to prąd przepływający przez IGBT w kierunku przeciwnym do normalnego przepływu elektronów.
Prąd elektroniczny - (Mierzone w Amper) - Prąd elektroniczny po przyłożeniu napięcia bramki IGBT włącza się i umożliwia przepływ elektronów z emitera do kolektora.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Prąd dziury: 12.2 Miliamper --> 0.0122 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Prąd elektroniczny: 0.323 Miliamper --> 0.000323 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Iemiy = Ih+Ie --> 0.0122+0.000323
Ocenianie ... ...
Iemiy = 0.012523
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.012523 Amper -->12.523 Miliamper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
12.523 Miliamper <-- Prąd emitera
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Mohamed Fazil W
Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru
Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

8 IGBT Kalkulatory

Nominalny ciągły prąd kolektora IGBT
​ Iść Prąd przewodzenia = (-Całkowite napięcie kolektora i emitera+sqrt((Całkowite napięcie kolektora i emitera)^2+4*Rezystancja kolektora i emitera*((Maksymalne złącze operacyjne-Temperatura obudowy)/Odporność termiczna)))/(2*Rezystancja kolektora i emitera)
Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia
​ Iść Spadek napięcia na stopniu = Prąd przewodzenia*Rezystancja kanału N+Prąd przewodzenia*Odporność na dryf+Złącze napięciowe Pn 1
Napięcie nasycenia IGBT
​ Iść Napięcie nasycenia kolektora-emitera = Napięcie emitera bazy tranzystora PNP+Prąd spustowy*(Odporność na przewodnictwo IGBT+Rezystancja kanału N)
Czas wyłączenia IGBT
​ Iść Wyłącz czas = Czas zwłoki+Początkowy czas opadania+Ostatni czas upadku
Maksymalne rozproszenie mocy w IGBT
​ Iść Maksymalne rozproszenie mocy = Maksymalne złącze operacyjne/Połączenie z kątem obudowy
Pojemność wejściowa IGBT
​ Iść Pojemność wejściowa = Bramka do pojemności emitera+Brama do pojemności kolektora
Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT
​ Iść Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym = (5.34*10^13)/((Dodatni ładunek netto)^(3/4))
Prąd emitera IGBT
​ Iść Prąd emitera = Prąd dziury+Prąd elektroniczny

Prąd emitera IGBT Formułę

Prąd emitera = Prąd dziury+Prąd elektroniczny
Iemiy = Ih+Ie
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!