Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia Kalkulator

✖Prąd przewodzenia IGBT to maksymalny prąd, który może przepływać przez urządzenie po jego włączeniu.ⓘ Prąd przewodzenia [I_f]			+10% -10%
✖Rezystancja kanału N IGBT to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.ⓘ Rezystancja kanału N [R_ch]			+10% -10%
✖Odporność na dryf IGBT to obszar dryfu N materiału półprzewodnikowego w urządzeniu. Obszar dryfu N to gruby domieszkowany krzem, który oddziela kolektor od obszaru zasady P.ⓘ Odporność na dryf [R_d]			+10% -10%
✖Napięcie Pn na złączu 1 jest spowodowane barierą potencjału istniejącą na złączu. Ta potencjalna bariera jest tworzona przez dyfuzję nośników ładunku przez złącze.ⓘ Złącze napięciowe Pn 1 [V_j1]			+10% -10%

✖Stopień włączenia spadku napięcia w IGBT to różnica napięcia pomiędzy zaciskami kolektora i emitera, gdy IGBT jest włączony. Jest to materiał półprzewodnikowy w urządzeniu.ⓘ Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia [V_drop]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

Formuła

`"V"_{"drop"} = "I"_{"f"}*"R"_{"ch"}+"I"_{"f"}*"R"_{"d"}+"V"_{"j1"}`

Przykład

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika mocy Formułę PDF PDF Image

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Spadek napięcia na stopniu = Prąd przewodzenia*Rezystancja kanału N+Prąd przewodzenia*Odporność na dryf+Złącze napięciowe Pn 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Spadek napięcia na stopniu - (Mierzone w Wolt) - Stopień włączenia spadku napięcia w IGBT to różnica napięcia pomiędzy zaciskami kolektora i emitera, gdy IGBT jest włączony. Jest to materiał półprzewodnikowy w urządzeniu.
Prąd przewodzenia - (Mierzone w Amper) - Prąd przewodzenia IGBT to maksymalny prąd, który może przepływać przez urządzenie po jego włączeniu.
Rezystancja kanału N - (Mierzone w Om) - Rezystancja kanału N IGBT to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.
Odporność na dryf - (Mierzone w Om) - Odporność na dryf IGBT to obszar dryfu N materiału półprzewodnikowego w urządzeniu. Obszar dryfu N to gruby domieszkowany krzem, który oddziela kolektor od obszaru zasady P.
Złącze napięciowe Pn 1 - (Mierzone w Wolt) - Napięcie Pn na złączu 1 jest spowodowane barierą potencjału istniejącą na złączu. Ta potencjalna bariera jest tworzona przez dyfuzję nośników ładunku przez złącze.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd przewodzenia: 1.69 Miliamper --> 0.00169 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Rezystancja kanału N: 10.59 Kilohm --> 10590 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Odporność na dryf: 0.98 Kilohm --> 980 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Złącze napięciowe Pn 1: 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1 --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Ocenianie ... ...

V_drop = 20.2533

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

20.2533 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

20.2533 Wolt <-- Spadek napięcia na stopniu

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektryczny » Elektronika mocy » Zaawansowane urządzenia tranzystorowe » IGBT » Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

Kredyty

Stworzone przez Mohamed Fazil W

Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru

Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 8 IGBT Kalkulatory

Nominalny ciągły prąd kolektora IGBT

Iść Prąd przewodzenia = (-Całkowite napięcie kolektora i emitera+sqrt((Całkowite napięcie kolektora i emitera)^2+4*Rezystancja kolektora i emitera*((Maksymalne złącze operacyjne-Temperatura obudowy)/Odporność termiczna)))/(2*Rezystancja kolektora i emitera)

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

Iść Spadek napięcia na stopniu = Prąd przewodzenia*Rezystancja kanału N+Prąd przewodzenia*Odporność na dryf+Złącze napięciowe Pn 1

Napięcie nasycenia IGBT

Iść Napięcie nasycenia kolektora-emitera = Napięcie emitera bazy tranzystora PNP+Prąd spustowy*(Odporność na przewodnictwo IGBT+Rezystancja kanału N)

Czas wyłączenia IGBT

Iść Wyłącz czas = Czas zwłoki+Początkowy czas opadania+Ostatni czas upadku

Maksymalne rozproszenie mocy w IGBT

Iść Maksymalne rozproszenie mocy = Maksymalne złącze operacyjne/Połączenie z kątem obudowy

Pojemność wejściowa IGBT

Iść Pojemność wejściowa = Bramka do pojemności emitera+Brama do pojemności kolektora

Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT

Iść Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym = (5.34*10^13)/((Dodatni ładunek netto)^(3/4))

Prąd emitera IGBT

Iść Prąd emitera = Prąd dziury+Prąd elektroniczny

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia Formułę

Spadek napięcia na stopniu = Prąd przewodzenia*Rezystancja kanału N+Prąd przewodzenia*Odporność na dryf+Złącze napięciowe Pn 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!