Pojemność wejściowa IGBT Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Pojemność wejściowa = Bramka do pojemności emitera+Brama do pojemności kolektora
Cin = C(g-e)+C(g-c)
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Pojemność wejściowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność wejściowa tranzystora IGBT to pojemność pomiędzy zaciskami bramki i emitera urządzenia.
Bramka do pojemności emitera - (Mierzone w Farad) - Brama do pojemności emitera (C
Brama do pojemności kolektora - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki do kolektora, znana również jako pojemność Millera, jest pojemnością pasożytniczą występującą pomiędzy bramką a zaciskami kolektora IGBT.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Bramka do pojemności emitera: 0.21 Farad --> 0.21 Farad Nie jest wymagana konwersja
Brama do pojemności kolektora: 5.55 Farad --> 5.55 Farad Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Cin = C(g-e)+C(g-c) --> 0.21+5.55
Ocenianie ... ...
Cin = 5.76
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
5.76 Farad --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
5.76 Farad <-- Pojemność wejściowa
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Mohamed Fazil W
Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru
Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

8 IGBT Kalkulatory

Nominalny ciągły prąd kolektora IGBT
​ Iść Prąd przewodzenia = (-Całkowite napięcie kolektora i emitera+sqrt((Całkowite napięcie kolektora i emitera)^2+4*Rezystancja kolektora i emitera*((Maksymalne złącze operacyjne-Temperatura obudowy)/Odporność termiczna)))/(2*Rezystancja kolektora i emitera)
Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia
​ Iść Spadek napięcia na stopniu = Prąd przewodzenia*Rezystancja kanału N+Prąd przewodzenia*Odporność na dryf+Złącze napięciowe Pn 1
Napięcie nasycenia IGBT
​ Iść Napięcie nasycenia kolektora-emitera = Napięcie emitera bazy tranzystora PNP+Prąd spustowy*(Odporność na przewodnictwo IGBT+Rezystancja kanału N)
Czas wyłączenia IGBT
​ Iść Wyłącz czas = Czas zwłoki+Początkowy czas opadania+Ostatni czas upadku
Maksymalne rozproszenie mocy w IGBT
​ Iść Maksymalne rozproszenie mocy = Maksymalne złącze operacyjne/Połączenie z kątem obudowy
Pojemność wejściowa IGBT
​ Iść Pojemność wejściowa = Bramka do pojemności emitera+Brama do pojemności kolektora
Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT
​ Iść Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym = (5.34*10^13)/((Dodatni ładunek netto)^(3/4))
Prąd emitera IGBT
​ Iść Prąd emitera = Prąd dziury+Prąd elektroniczny

Pojemność wejściowa IGBT Formułę

Pojemność wejściowa = Bramka do pojemności emitera+Brama do pojemności kolektora
Cin = C(g-e)+C(g-c)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!