Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Produkcja układów scalonych MOS

Wyzwalacz Schmitta

✖Efektywna dyfuzja jest parametrem związanym z procesem dyfuzji nośników, na który wpływają właściwości materiału i geometria złącza półprzewodnikowego.ⓘ Efektywna dyfuzja [D_n]			+10% -10%
✖Obszar złącza podstawy emitera to złącze PN utworzone pomiędzy silnie domieszkowanym materiałem typu P (emiter) i lekko domieszkowanym materiałem typu N (baza) tranzystora.ⓘ Obszar połączenia podstawy emitera [A]			+10% -10%
✖Ładunek cecha jednostki materii wyrażająca stopień, w jakim ma ona więcej lub mniej elektronów niż protonów.ⓘ Opłata [q]			+10% -10%
✖Stężenie wewnętrzne to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.ⓘ Wewnętrzna koncentracja [n_i]			+10% -10%
✖Prąd kolektora to prąd przepływający przez zacisk kolektora tranzystora i jest to prąd wzmacniany przez tranzystor.ⓘ Prąd kolektora [I_c]			+10% -10%
✖Emiter bazy napięciowej to napięcie pomiędzy bazą a emiterem przy polaryzacji w kierunku przewodzenia, przy odłączonym kolektorze.ⓘ Emiter podstawy napięcia [V_be]			+10% -10%
✖Napięcie termiczne to napięcie wytwarzane przez połączenie różnych metali, gdy między tymi złączami istnieje różnica temperatur.ⓘ Napięcie termiczne [V_t]			+10% -10%

✖Zanieczyszczenie całkowite definiuje zanieczyszczenia, które są zmieszane w ilości atomów na jednostkę powierzchni w bazie lub ilość zanieczyszczeń dodanych do wewnętrznego półprzewodnika zmienia jego poziom przewodności.ⓘ Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni [Q_b]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Formuła

`"Q"_{"b"} = "D"_{"n"}*("A"*(("q"*"n"_{"i"}^2)/"I"_{"c"})*exp("V"_{"be"}/"V"_{"t"}))`

Przykład

`"3.6E^9cm²"="0.5"*("1.75cm²"*(("5mC"*("1.32/cm³")^2)/"4.92A")*exp("3.5V"/"4.1V"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))
Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 8 Zmienne

Używane funkcje

exp - w przypadku funkcji wykładniczej wartość funkcji zmienia się o stały współczynnik przy każdej zmianie jednostki zmiennej niezależnej., exp(Number)

Używane zmienne

Całkowita nieczystość - (Mierzone w Metr Kwadratowy) - Zanieczyszczenie całkowite definiuje zanieczyszczenia, które są zmieszane w ilości atomów na jednostkę powierzchni w bazie lub ilość zanieczyszczeń dodanych do wewnętrznego półprzewodnika zmienia jego poziom przewodności.
Efektywna dyfuzja - Efektywna dyfuzja jest parametrem związanym z procesem dyfuzji nośników, na który wpływają właściwości materiału i geometria złącza półprzewodnikowego.
Obszar połączenia podstawy emitera - (Mierzone w Metr Kwadratowy) - Obszar złącza podstawy emitera to złącze PN utworzone pomiędzy silnie domieszkowanym materiałem typu P (emiter) i lekko domieszkowanym materiałem typu N (baza) tranzystora.
Opłata - (Mierzone w Kulomb) - Ładunek cecha jednostki materii wyrażająca stopień, w jakim ma ona więcej lub mniej elektronów niż protonów.
Wewnętrzna koncentracja - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie wewnętrzne to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.
Prąd kolektora - (Mierzone w Amper) - Prąd kolektora to prąd przepływający przez zacisk kolektora tranzystora i jest to prąd wzmacniany przez tranzystor.
Emiter podstawy napięcia - (Mierzone w Wolt) - Emiter bazy napięciowej to napięcie pomiędzy bazą a emiterem przy polaryzacji w kierunku przewodzenia, przy odłączonym kolektorze.
Napięcie termiczne - (Mierzone w Wolt) - Napięcie termiczne to napięcie wytwarzane przez połączenie różnych metali, gdy między tymi złączami istnieje różnica temperatur.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Efektywna dyfuzja: 0.5 --> Nie jest wymagana konwersja
Obszar połączenia podstawy emitera: 1.75 Centymetr Kwadratowy --> 0.000175 Metr Kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)
Opłata: 5 Millicoulomb --> 0.005 Kulomb (Sprawdź konwersję tutaj)
Wewnętrzna koncentracja: 1.32 1 na centymetr sześcienny --> 1320000 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Prąd kolektora: 4.92 Amper --> 4.92 Amper Nie jest wymagana konwersja
Emiter podstawy napięcia: 3.5 Wolt --> 3.5 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie termiczne: 4.1 Wolt --> 4.1 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t)) --> 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1))

Ocenianie ... ...

Q_b = 363831.258671893

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

363831.258671893 Metr Kwadratowy -->3638312586.71893 Centymetr Kwadratowy (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3638312586.71893 ≈ 3.6E+9 Centymetr Kwadratowy <-- Całkowita nieczystość

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja bipolarnych układów scalonych » Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Kredyty

Stworzone przez Rahula Guptę

Uniwersytet Chandigarh (CU), Mohali, Pendżab

Rahula Guptę utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Ritwik Tripathi

Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi zweryfikował ten kalkulator i 100+ więcej kalkulatorów!

< 19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Opór równoległościanu prostokątnego

Iść Opór = ((Oporność*Grubość warstwy)/(Szerokość rozproszonej warstwy*Długość warstwy rozproszonej))*(ln(Szerokość dolnego prostokąta/Długość dolnego prostokąta)/(Szerokość dolnego prostokąta-Długość dolnego prostokąta))

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni

Iść Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))

Przewodność typu N

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))

Przewodność typu P

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu P)+Hole Doping Mobilność krzemu*Stężenie równowagowe typu P)

Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się

Iść Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)

Przewodność omowa zanieczyszczeń

Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)

Prąd kolektora tranzystora PNP

Iść Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy

Prąd nasycenia w tranzystorze

Iść Prąd nasycenia = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Efektywna dyfuzja*Wewnętrzna koncentracja^2)/Całkowita nieczystość

Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania

Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Całkowita liczba przełączanych wyjść

Opór arkusza warstwy

Iść Odporność arkusza = 1/(Opłata*Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N*Grubość warstwy)

Opór warstwy rozproszonej

Iść Opór = (1/Przewodność omowa)*(Długość warstwy rozproszonej/(Szerokość rozproszonej warstwy*Grubość warstwy))

Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu

Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)

Dziura gęstości prądu

Iść Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)

Napięcie przebicia emitera kolektora

Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)

Wydajność wtrysku emitera

Iść Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych

Iść Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe

Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania

Iść Wydajność wtrysku emitera = Doping po stronie N/(Doping po stronie N+Doping po stronie P)

Prąd płynący w diodzie Zenera

Iść Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera

Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej

Iść Podstawowy współczynnik transportu = 1-(1/2*(Szerokość fizyczna/Długość dyfuzji elektronów)^2)

Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni Formułę

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!