Атомы примеси на единицу площади Калькулятор

✖Эффективная диффузия — это параметр, связанный с процессом диффузии носителей, на который влияют свойства материала и геометрия полупроводникового перехода.ⓘ Эффективное распространение [D_n]			+10% -10%
✖Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.ⓘ Зона базового соединения эмиттера [A]			+10% -10%
✖Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.ⓘ Заряжать [q]			+10% -10%
✖Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Внутренняя концентрация [n_i]			+10% -10%
✖Коллекторный ток — это ток, который протекает через коллекторный вывод транзистора и который усиливается транзистором.ⓘ Коллекторный ток [I_c]			+10% -10%
✖Напряжение базы-эмиттера — это напряжение между базой и эмиттером при прямом смещении и отключенном коллекторе.ⓘ Базовый эмиттер напряжения [V_be]			+10% -10%
✖Тепловое напряжение — это напряжение, создаваемое соединением разнородных металлов, когда между этими соединениями существует разница температур.ⓘ Тепловое напряжение [V_t]			+10% -10%

✖Общая примесь определяет примеси, которые смешиваются по атому на единицу площади в основе, или количество примеси, добавленной к собственному полупроводнику, изменяет его уровень проводимости.ⓘ Атомы примеси на единицу площади [Q_b]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Атомы примеси на единицу площади

Формула

`"Q"_{"b"} = "D"_{"n"}*("A"*(("q"*"n"_{"i"}^2)/"I"_{"c"})*exp("V"_{"be"}/"V"_{"t"}))`

Пример

`"3.6E^9cm²"="0.5"*("1.75cm²"*(("5mC"*("1.32/cm³")^2)/"4.92A")*exp("3.5V"/"4.1V"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Атомы примеси на единицу площади Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))
Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t))
В этой формуле используются 1 Функции, 8 Переменные

Используемые функции

exp - В показательной функции значение функции изменяется на постоянный коэффициент при каждом изменении единицы независимой переменной., exp(Number)

Используемые переменные

Общая примесь - (Измеряется в Квадратный метр) - Общая примесь определяет примеси, которые смешиваются по атому на единицу площади в основе, или количество примеси, добавленной к собственному полупроводнику, изменяет его уровень проводимости.
Эффективное распространение - Эффективная диффузия — это параметр, связанный с процессом диффузии носителей, на который влияют свойства материала и геометрия полупроводникового перехода.
Зона базового соединения эмиттера - (Измеряется в Квадратный метр) - Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Коллекторный ток - (Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток — это ток, который протекает через коллекторный вывод транзистора и который усиливается транзистором.
Базовый эмиттер напряжения - (Измеряется в вольт) - Напряжение базы-эмиттера — это напряжение между базой и эмиттером при прямом смещении и отключенном коллекторе.
Тепловое напряжение - (Измеряется в вольт) - Тепловое напряжение — это напряжение, создаваемое соединением разнородных металлов, когда между этими соединениями существует разница температур.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Эффективное распространение: 0.5 --> Конверсия не требуется
Зона базового соединения эмиттера: 1.75 Площадь Сантиметр --> 0.000175 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование здесь)
Внутренняя концентрация: 1.32 1 на кубический сантиметр --> 1320000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Коллекторный ток: 4.92 Ампер --> 4.92 Ампер Конверсия не требуется
Базовый эмиттер напряжения: 3.5 вольт --> 3.5 вольт Конверсия не требуется
Тепловое напряжение: 4.1 вольт --> 4.1 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

Q_b = D_n*(A*((q*n_i^2)/I_c)*exp(V_be/V_t)) --> 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1))

Оценка ... ...

Q_b = 363831.258671893

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

363831.258671893 Квадратный метр -->3638312586.71893 Площадь Сантиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

3638312586.71893 ≈ 3.6E+9 Площадь Сантиметр <-- Общая примесь

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Атомы примеси на единицу площади

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Ритвик Трипати

Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор

Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Атомы примеси на единицу площади формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!