Maksymalna częstotliwość oscylacji Kalkulator

✖Prędkość nasycenia odnosi się do maksymalnej prędkości osiąganej przez nośniki ładunku w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego.ⓘ Prędkość nasycenia [v_s]			+10% -10%
✖Długość kanału odnosi się do fizycznej odległości pomiędzy zaciskami źródła i drenu wzdłuż materiału półprzewodnikowego, przez który przepływa prąd.ⓘ Długość kanału [L_c]			+10% -10%

✖Maksymalna częstotliwość oscylacji to parametr charakteryzujący działanie urządzeń elektronicznych w zakresie wysokich częstotliwości, szczególnie w kontekście zastosowań związanych z częstotliwością radiową (RF) i mikrofalami.ⓘ Maksymalna częstotliwość oscylacji [f_{max o}]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Maksymalna częstotliwość oscylacji

Formuła

`"f"_{"max o"} = "v"_{"s"}/(2*pi*"L"_{"c"})`

Przykład

`"0.252863Hz"="5.1m/s"/(2*pi*"3.21m")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe Formułę PDF PDF Image

Maksymalna częstotliwość oscylacji Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)
Ta formuła używa 1 Stałe, 3 Zmienne

Używane stałe

pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288

Używane zmienne

Maksymalna częstotliwość oscylacji - (Mierzone w Herc) - Maksymalna częstotliwość oscylacji to parametr charakteryzujący działanie urządzeń elektronicznych w zakresie wysokich częstotliwości, szczególnie w kontekście zastosowań związanych z częstotliwością radiową (RF) i mikrofalami.
Prędkość nasycenia - (Mierzone w Metr na sekundę) - Prędkość nasycenia odnosi się do maksymalnej prędkości osiąganej przez nośniki ładunku w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału odnosi się do fizycznej odległości pomiędzy zaciskami źródła i drenu wzdłuż materiału półprzewodnikowego, przez który przepływa prąd.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prędkość nasycenia: 5.1 Metr na sekundę --> 5.1 Metr na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Długość kanału: 3.21 Metr --> 3.21 Metr Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c) --> 5.1/(2*pi*3.21)

Ocenianie ... ...

f_{max o} = 0.252862993697404

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.252862993697404 Herc --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.252862993697404 ≈ 0.252863 Herc <-- Maksymalna częstotliwość oscylacji

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe » Wzmacniacze tranzystorowe » Maksymalna częstotliwość oscylacji

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 10+ Wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Zysk mocy konwertera obniżającego, biorąc pod uwagę współczynnik degradacji

Iść Wzmocnienie mocy konwertera obniżającego = Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)/(1+sqrt(1+(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)))^2

Uzyskaj współczynnik degradacji dla MESFET

Iść Zyskaj współczynnik degradacji = Częstotliwość wyjściowa/Częstotliwość sygnału*(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)/(1+sqrt(1+(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)))^2

Współczynnik szumu GaAs MESFET

Iść Współczynnik hałasu = 1+2*Częstotliwość kątowa*Pojemność źródła bramki/Transkonduktancja MESFET-u*sqrt((Opór źródła-Opór bramy)/Rezystancja wejściowa)

Maksymalna częstotliwość robocza

Iść Maksymalna częstotliwość robocza = Częstotliwość odcięcia MESFET/2*sqrt(Odporność na drenaż/(Opór źródła+Rezystancja wejściowa+Odporność na metalizację bramy))

Maksymalna dopuszczalna moc

Iść Maksymalna dopuszczalna moc = 1/(Reaktancja*Częstotliwość graniczna czasu tranzytu^2)*(Maksymalne pole elektryczne*Maksymalna prędkość dryfu nasycenia/(2*pi))^2

Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego

Iść Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego = (Częstotliwość graniczna czasu tranzytu/Częstotliwość wzmocnienia mocy)^2*Impedancja wyjściowa/Impedancja wejściowa

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

Iść Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))

Częstotliwość odcięcia MESFET

Iść Częstotliwość odcięcia MESFET = Transkonduktancja MESFET-u/(2*pi*Pojemność źródła bramki)

Kąt przejścia

Iść Kąt przejścia = Częstotliwość kątowa*Długość przestrzeni dryfu/Prędkość dryfu przewoźnika

Maksymalna częstotliwość oscylacji

Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)

Maksymalna częstotliwość oscylacji Formułę

Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!