Frequenza massima di oscillazione calcolatrice

✖La velocità di saturazione si riferisce alla velocità massima raggiunta dai portatori di carica in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico.ⓘ Velocità di saturazione [v_s]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale si riferisce alla distanza fisica tra i terminali source e drain lungo il materiale semiconduttore attraverso il quale scorre la corrente.ⓘ Lunghezza del canale [L_c]			+10% -10%

✖La frequenza massima di oscillazione è un parametro che caratterizza le prestazioni ad alta frequenza dei dispositivi elettronici, in particolare nel contesto delle applicazioni a radiofrequenza (RF) e a microonde.ⓘ Frequenza massima di oscillazione [f_{max o}]

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Formula

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Frequenza massima di oscillazione

Formula

`"f"_{"max o"} = "v"_{"s"}/(2*pi*"L"_{"c"})`

Esempio

`"0.252863Hz"="5.1m/s"/(2*pi*"3.21m")`

Calcolatrice

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Frequenza massima di oscillazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Frequenza massima di oscillazione - (Misurato in Hertz) - La frequenza massima di oscillazione è un parametro che caratterizza le prestazioni ad alta frequenza dei dispositivi elettronici, in particolare nel contesto delle applicazioni a radiofrequenza (RF) e a microonde.
Velocità di saturazione - (Misurato in Metro al secondo) - La velocità di saturazione si riferisce alla velocità massima raggiunta dai portatori di carica in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale si riferisce alla distanza fisica tra i terminali source e drain lungo il materiale semiconduttore attraverso il quale scorre la corrente.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Velocità di saturazione: 5.1 Metro al secondo --> 5.1 Metro al secondo Nessuna conversione richiesta
Lunghezza del canale: 3.21 metro --> 3.21 metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c) --> 5.1/(2*pi*3.21)

Valutare ... ...

f_{max o} = 0.252862993697404

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.252862993697404 Hertz --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.252862993697404 ≈ 0.252863 Hertz <-- Frequenza massima di oscillazione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 10+ Amplificatori a transistor Calcolatrici

Guadagno di potenza del convertitore in basso dato il fattore di degradazione

Partire Guadagno di potenza del down converter = Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2

Ottieni il fattore di degradazione per MESFET

Partire Guadagno fattore di degradazione = Frequenza di uscita/Frequenza del segnale*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2

Fattore di rumore GaAs MESFET

Partire Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)

Frequenza operativa massima

Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))

Potenza massima consentita

Partire Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2

Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde

Partire Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde = (Frequenza limite del tempo di transito/Frequenza del guadagno di potenza)^2*Impedenza di uscita/Impedenza di ingresso

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET

Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))

Angolo di transito

Partire Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore

Frequenza di taglio MESFET

Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)

Frequenza massima di oscillazione

Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

Frequenza massima di oscillazione Formula

Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)

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