Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET Kalkulator

✖Przewodność wyjściowa to parametr charakteryzujący zachowanie tranzystora polowego (FET) w jego obszarze nasycenia.ⓘ Przewodność wyjściowa [g₀]			+10% -10%
✖Napięcie wejściowe to różnica potencjałów elektrycznych przyłożona do zacisków wejściowych komponentu lub systemu.ⓘ Napięcie wejściowe [V_i]			+10% -10%
✖Napięcie progowe określa się jako napięcie, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić.ⓘ Próg napięcia [V_G]			+10% -10%
✖Napięcie odcięcia reprezentuje napięcie źródła bramki, przy którym kanał MESFET-u zamyka się lub „zacina”.ⓘ Napięcie odcięcia [V_p]			+10% -10%

✖Transprzewodnictwo MESFET jest kluczowym parametrem MESFET, reprezentującym zmianę prądu drenu w odniesieniu do zmiany napięcia bramka-źródło.ⓘ Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET [G_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

Formuła

`"G"_{"m"} = "g"_{"0"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"G"})/"V"_{"p"}))`

Przykład

`"0.063072S"="0.152S"*(1-sqrt(("2.25V"-"1.562V")/"2.01V"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe Formułę PDF PDF Image

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Transkonduktancja MESFET-u - (Mierzone w Siemens) - Transprzewodnictwo MESFET jest kluczowym parametrem MESFET, reprezentującym zmianę prądu drenu w odniesieniu do zmiany napięcia bramka-źródło.
Przewodność wyjściowa - (Mierzone w Siemens) - Przewodność wyjściowa to parametr charakteryzujący zachowanie tranzystora polowego (FET) w jego obszarze nasycenia.
Napięcie wejściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wejściowe to różnica potencjałów elektrycznych przyłożona do zacisków wejściowych komponentu lub systemu.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe określa się jako napięcie, przy którym tranzystor zaczyna przewodzić.
Napięcie odcięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie odcięcia reprezentuje napięcie źródła bramki, przy którym kanał MESFET-u zamyka się lub „zacina”.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Przewodność wyjściowa: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wejściowe: 2.25 Wolt --> 2.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 1.562 Wolt --> 1.562 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie odcięcia: 2.01 Wolt --> 2.01 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Ocenianie ... ...

G_m = 0.0630717433777618

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0630717433777618 Siemens --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transkonduktancja MESFET-u

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe » Wzmacniacze tranzystorowe » Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 10+ Wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Zysk mocy konwertera obniżającego, biorąc pod uwagę współczynnik degradacji

Iść Wzmocnienie mocy konwertera obniżającego = Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)/(1+sqrt(1+(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)))^2

Uzyskaj współczynnik degradacji dla MESFET

Iść Zyskaj współczynnik degradacji = Częstotliwość wyjściowa/Częstotliwość sygnału*(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)/(1+sqrt(1+(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)))^2

Współczynnik szumu GaAs MESFET

Iść Współczynnik hałasu = 1+2*Częstotliwość kątowa*Pojemność źródła bramki/Transkonduktancja MESFET-u*sqrt((Opór źródła-Opór bramy)/Rezystancja wejściowa)

Maksymalna częstotliwość robocza

Iść Maksymalna częstotliwość robocza = Częstotliwość odcięcia MESFET/2*sqrt(Odporność na drenaż/(Opór źródła+Rezystancja wejściowa+Odporność na metalizację bramy))

Maksymalna dopuszczalna moc

Iść Maksymalna dopuszczalna moc = 1/(Reaktancja*Częstotliwość graniczna czasu tranzytu^2)*(Maksymalne pole elektryczne*Maksymalna prędkość dryfu nasycenia/(2*pi))^2

Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego

Iść Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego = (Częstotliwość graniczna czasu tranzytu/Częstotliwość wzmocnienia mocy)^2*Impedancja wyjściowa/Impedancja wejściowa

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

Iść Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))

Częstotliwość odcięcia MESFET

Iść Częstotliwość odcięcia MESFET = Transkonduktancja MESFET-u/(2*pi*Pojemność źródła bramki)

Kąt przejścia

Iść Kąt przejścia = Częstotliwość kątowa*Długość przestrzeni dryfu/Prędkość dryfu przewoźnika

Maksymalna częstotliwość oscylacji

Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET Formułę

Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!