Максимальная частота колебаний Калькулятор

✖Скорость насыщения относится к максимальной скорости, достигаемой носителями заряда в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля.ⓘ Скорость насыщения [v_s]			+10% -10%
✖Длина канала относится к физическому расстоянию между клеммами истока и стока вдоль полупроводникового материала, через который течет ток.ⓘ Длина канала [L_c]			+10% -10%

✖Максимальная частота колебаний — это параметр, который характеризует высокочастотные характеристики электронных устройств, особенно в контексте радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложений.ⓘ Максимальная частота колебаний [f_{max o}]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Максимальная частота колебаний

Формула

`"f"_{"max o"} = "v"_{"s"}/(2*pi*"L"_{"c"})`

Пример

`"0.252863Hz"="5.1m/s"/(2*pi*"3.21m")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Микроволновые полупроводниковые приборы формула PDF PDF Image

Максимальная частота колебаний Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Максимальная частота колебаний = Скорость насыщения/(2*pi*Длина канала)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)
В этой формуле используются 1 Константы, 3 Переменные

Используемые константы

pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288

Используемые переменные

Максимальная частота колебаний - (Измеряется в Герц) - Максимальная частота колебаний — это параметр, который характеризует высокочастотные характеристики электронных устройств, особенно в контексте радиочастотных (РЧ) и микроволновых приложений.
Скорость насыщения - (Измеряется в метр в секунду) - Скорость насыщения относится к максимальной скорости, достигаемой носителями заряда в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля.
Длина канала - (Измеряется в метр) - Длина канала относится к физическому расстоянию между клеммами истока и стока вдоль полупроводникового материала, через который течет ток.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Скорость насыщения: 5.1 метр в секунду --> 5.1 метр в секунду Конверсия не требуется
Длина канала: 3.21 метр --> 3.21 метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c) --> 5.1/(2*pi*3.21)

Оценка ... ...

f_{max o} = 0.252862993697404

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.252862993697404 Герц --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.252862993697404 ≈ 0.252863 Герц <-- Максимальная частота колебаний

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые полупроводниковые приборы » Транзисторные усилители » Максимальная частота колебаний

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 10+ Транзисторные усилители Калькуляторы

Коэффициент усиления понижающего преобразователя с учетом коэффициента деградации

Идти Коэффициент усиления понижающего преобразователя = Частота сигнала/Выходная частота*(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)/(1+sqrt(1+(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)))^2

Коэффициент деградации усиления для MESFET

Идти Получите коэффициент деградации = Выходная частота/Частота сигнала*(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)/(1+sqrt(1+(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)))^2

Коэффициент шума GaAs MESFET

Идти Коэффициент шума = 1+2*Угловая частота*Емкость источника затвора/Крутизна транзистора MESFET*sqrt((Источник сопротивления-Сопротивление ворот)/Входное сопротивление)

Максимальная рабочая частота

Идти Максимальная рабочая частота = Частота среза MESFET/2*sqrt(Сопротивление дренажу/(Источник сопротивления+Входное сопротивление+Сопротивление металлизации ворот))

Максимально допустимая мощность

Идти Максимально допустимая мощность = 1/(Реактивное сопротивление*Частота среза времени прохождения^2)*(Максимальное электрическое поле*Максимальная скорость дрейфа насыщения/(2*pi))^2

Максимальный коэффициент усиления микроволнового транзистора

Идти Максимальный коэффициент усиления микроволнового транзистора = (Частота среза времени прохождения/Частота усиления мощности)^2*Выходное сопротивление/Входное сопротивление

Крутизна в области насыщения в MESFET

Идти Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))

Частота среза MESFET

Идти Частота среза MESFET = Крутизна транзистора MESFET/(2*pi*Емкость источника затвора)

Транзитный угол

Идти Транзитный угол = Угловая частота*Длина пространства дрейфа/Скорость дрейфа несущей

Максимальная частота колебаний

Идти Максимальная частота колебаний = Скорость насыщения/(2*pi*Длина канала)

Максимальная частота колебаний формула

Максимальная частота колебаний = Скорость насыщения/(2*pi*Длина канала)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!