Frequência Máxima de Oscilação Calculadora

✖Velocidade de saturação refere-se à velocidade máxima atingida pelos portadores de carga em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.ⓘ Velocidade de saturação [v_s]			+10% -10%
✖O comprimento do canal refere-se à distância física entre os terminais de fonte e dreno ao longo do material semicondutor através do qual a corrente flui.ⓘ Comprimento do canal [L_c]			+10% -10%

✖A Frequência Máxima de Oscilação é um parâmetro que caracteriza o desempenho de alta frequência de dispositivos eletrônicos, principalmente no contexto de aplicações de radiofrequência (RF) e micro-ondas.ⓘ Frequência Máxima de Oscilação [f_{max o}]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Frequência Máxima de Oscilação

Fórmula

`"f"_{"max o"} = "v"_{"s"}/(2*pi*"L"_{"c"})`

Exemplo

`"0.252863Hz"="5.1m/s"/(2*pi*"3.21m")`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Dispositivos semicondutores de micro-ondas Fórmula PDF PDF Image

Frequência Máxima de Oscilação Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis

Constantes Usadas

pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variáveis Usadas

Frequência Máxima de Oscilação - (Medido em Hertz) - A Frequência Máxima de Oscilação é um parâmetro que caracteriza o desempenho de alta frequência de dispositivos eletrônicos, principalmente no contexto de aplicações de radiofrequência (RF) e micro-ondas.
Velocidade de saturação - (Medido em Metro por segundo) - Velocidade de saturação refere-se à velocidade máxima atingida pelos portadores de carga em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal refere-se à distância física entre os terminais de fonte e dreno ao longo do material semicondutor através do qual a corrente flui.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Velocidade de saturação: 5.1 Metro por segundo --> 5.1 Metro por segundo Nenhuma conversão necessária
Comprimento do canal: 3.21 Metro --> 3.21 Metro Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c) --> 5.1/(2*pi*3.21)

Avaliando ... ...

f_{max o} = 0.252862993697404

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.252862993697404 Hertz --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.252862993697404 ≈ 0.252863 Hertz <-- Frequência Máxima de Oscilação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Teoria de Microondas » Dispositivos semicondutores de micro-ondas » Amplificadores transistorizados » Frequência Máxima de Oscilação

Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 10+ Amplificadores transistorizados Calculadoras

Ganho de potência do conversor descendente dado o Fator de Degradação

Vai Ganho de potência do conversor descendente = Frequência do sinal/Frequência de saída*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganhe fator de degradação para MESFET

Vai Ganhe fator de degradação = Frequência de saída/Frequência do sinal*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Fator de Ruído GaAs MESFET

Vai Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)

Frequência máxima de operação

Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))

Potência máxima permitida

Vai Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2

Ganho máximo de potência do transistor de microondas

Vai Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada

Transcondutância na região de saturação no MESFET

Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))

Ângulo de Trânsito

Vai Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador

Frequência de corte MESFET

Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)

Frequência Máxima de Oscilação

Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

Frequência Máxima de Oscilação Fórmula

Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)
f_{max o} = v_s/(2*pi*L_c)

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!