Maksymalne rozproszenie mocy w IGBT Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Maksymalne rozproszenie mocy = Maksymalne złącze operacyjne/Połączenie z kątem obudowy
Pmax = Tjmax/θj-c
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Maksymalne rozproszenie mocy - (Mierzone w Wat) - Maksymalne rozproszenie mocy IGBT jest krytycznym parametrem, który należy wziąć pod uwagę przy projektowaniu obwodu mocy. Jest to maksymalna ilość mocy, jaką IGBT może rozproszyć.
Maksymalne złącze operacyjne - (Mierzone w kelwin) - Maksymalna temperatura złącza roboczego (T
Połączenie z kątem obudowy - (Mierzone w Radian) - Połączenie z kątem obudowy (θ
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Maksymalne złącze operacyjne: 283 Celsjusz --> 556.15 kelwin (Sprawdź konwersję ​tutaj)
Połączenie z kątem obudowy: 289 Stopień --> 5.04400153826266 Radian (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Pmax = Tjmaxj-c --> 556.15/5.04400153826266
Ocenianie ... ...
Pmax = 110.259680886529
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
110.259680886529 Wat --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
110.259680886529 110.2597 Wat <-- Maksymalne rozproszenie mocy
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Mohamed Fazil W
Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru
Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Parminder Singh
Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab
Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

8 IGBT Kalkulatory

Nominalny ciągły prąd kolektora IGBT
​ Iść Prąd przewodzenia = (-Całkowite napięcie kolektora i emitera+sqrt((Całkowite napięcie kolektora i emitera)^2+4*Rezystancja kolektora i emitera*((Maksymalne złącze operacyjne-Temperatura obudowy)/Odporność termiczna)))/(2*Rezystancja kolektora i emitera)
Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia
​ Iść Spadek napięcia na stopniu = Prąd przewodzenia*Rezystancja kanału N+Prąd przewodzenia*Odporność na dryf+Złącze napięciowe Pn 1
Napięcie nasycenia IGBT
​ Iść Napięcie nasycenia kolektora-emitera = Napięcie emitera bazy tranzystora PNP+Prąd spustowy*(Odporność na przewodnictwo IGBT+Rezystancja kanału N)
Czas wyłączenia IGBT
​ Iść Wyłącz czas = Czas zwłoki+Początkowy czas opadania+Ostatni czas upadku
Maksymalne rozproszenie mocy w IGBT
​ Iść Maksymalne rozproszenie mocy = Maksymalne złącze operacyjne/Połączenie z kątem obudowy
Pojemność wejściowa IGBT
​ Iść Pojemność wejściowa = Bramka do pojemności emitera+Brama do pojemności kolektora
Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT
​ Iść Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym = (5.34*10^13)/((Dodatni ładunek netto)^(3/4))
Prąd emitera IGBT
​ Iść Prąd emitera = Prąd dziury+Prąd elektroniczny

Maksymalne rozproszenie mocy w IGBT Formułę

Maksymalne rozproszenie mocy = Maksymalne złącze operacyjne/Połączenie z kątem obudowy
Pmax = Tjmax/θj-c
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!