Maximale vermogensdissipatie in IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing
Pmax = Tjmax/θj-c
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Maximale vermogensdissipatie - (Gemeten in Watt) - Maximale vermogensdissipatie van een IGBT is een cruciale parameter waarmee rekening moet worden gehouden bij het ontwerpen van een stroomcircuit. Het is de maximale hoeveelheid stroom die de IGBT kan afvoeren.
Maximaal operationeel kruispunt - (Gemeten in Kelvin) - De maximale operationele junctietemperatuur (T
Verbinding met hoek van behuizing - (Gemeten in radiaal) - Verbinding met hoek van behuizing (θ
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Maximaal operationeel kruispunt: 283 Celsius --> 556.15 Kelvin (Bekijk de conversie ​hier)
Verbinding met hoek van behuizing: 289 Graad --> 5.04400153826266 radiaal (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Pmax = Tjmaxj-c --> 556.15/5.04400153826266
Evalueren ... ...
Pmax = 110.259680886529
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
110.259680886529 Watt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
110.259680886529 110.2597 Watt <-- Maximale vermogensdissipatie
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Mohammed Fazil V
Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru
Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT
​ Gaan Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)
Spanningsdaling in IGBT in AAN-status
​ Gaan Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1
Verzadigingsspanning van IGBT
​ Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)
IGBT-uitschakeltijd
​ Gaan Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd
Maximale vermogensdissipatie in IGBT
​ Gaan Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing
Ingangscapaciteit van IGBT
​ Gaan Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit
Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT
​ Gaan Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))
Emitterstroom van IGBT
​ Gaan Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom

Maximale vermogensdissipatie in IGBT Formule

Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing
Pmax = Tjmax/θj-c
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!