Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Максимальная рассеиваемая мощность = Максимальный рабочий переход/Угол соединения с корпусом
Pmax = Tjmax/θj-c
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Максимальная рассеиваемая мощность - (Измеряется в Ватт) - Максимальная рассеиваемая мощность IGBT является критическим параметром, который следует учитывать при проектировании силовой цепи. Это максимальная мощность, которую может рассеивать IGBT.
Максимальный рабочий переход - (Измеряется в Кельвин) - Максимальная рабочая температура перехода (T
Угол соединения с корпусом - (Измеряется в Радиан) - Угол перехода к корпусу (θ
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Максимальный рабочий переход: 283 Цельсия --> 556.15 Кельвин (Проверьте преобразование ​здесь)
Угол соединения с корпусом: 289 степень --> 5.04400153826266 Радиан (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Pmax = Tjmaxj-c --> 556.15/5.04400153826266
Оценка ... ...
Pmax = 110.259680886529
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
110.259680886529 Ватт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
110.259680886529 110.2597 Ватт <-- Максимальная рассеиваемая мощность
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор
Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT
​ Идти Прямой ток = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера)^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера*((Максимальный рабочий переход-Температура корпуса)/Термическое сопротивление)))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера)
Напряжение насыщения IGBT
​ Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора+Ток стока*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала)
Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии
​ Идти Падение напряжения на этапе = Прямой ток*Сопротивление N-канала+Прямой ток*Сопротивление дрейфу+Напряжение Pn-перехода 1
Время выключения IGBT
​ Идти Время выключения = Время задержки+Начальное время падения+Время последней осени
Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT
​ Идти Максимальная рассеиваемая мощность = Максимальный рабочий переход/Угол соединения с корпусом
Входная емкость IGBT
​ Идти Входная емкость = Емкость от затвора до эмиттера+Ворота к емкости коллектора
Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT
​ Идти Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд)^(3/4))
Ток эмиттера IGBT
​ Идти Ток эмиттера = Ток отверстия+Электронный ток

Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT формула

Максимальная рассеиваемая мощность = Максимальный рабочий переход/Угол соединения с корпусом
Pmax = Tjmax/θj-c
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!