MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu Kalkulator

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródłaⓘ Współczynnik proporcji [WL]			+10% -10%
✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%

✖Process Transconductance Parameter (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.ⓘ MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu [k'_n]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu

Formuła

`"k'"_{"n"} = "g"_{"m"}/("WL"*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"}))`

Przykład

`"0.015625A/V²"="0.5mS"/("0.1"*("4V"-"3.68V"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja/(Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Parametr transkonduktancji procesu - (Mierzone w Amper na wolt kwadratowy) - Process Transconductance Parameter (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Współczynnik proporcji - Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródła
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Współczynnik proporcji: 0.1 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 3.68 Wolt --> 3.68 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th)) --> 0.0005/(0.1*(4-3.68))

Ocenianie ... ...

k'_n = 0.015625

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.015625 Amper na wolt kwadratowy --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.015625 Amper na wolt kwadratowy <-- Parametr transkonduktancji procesu

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Transkonduktancja » MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 16 Transkonduktancja Kalkulatory

MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja/(Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia))

Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Transkonduktancja przy podanym prądzie drenu

Iść Transkonduktancja = sqrt(2*Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Prąd spustowy)

Transkonduktancja MOSFET przy użyciu parametru transkonduktancji procesowej i napięcia przesterowania

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja/(Współczynnik proporcji*Napięcie przesterowania)

Transkonduktancja przy użyciu parametru transkonduktancji procesowej i napięcia przesterowania

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Napięcie przesterowania

Drenaż Transkonduktancja i transkonduktancja prądu danego procesu

Iść Prąd spustowy = Transkonduktancja^2/(2*Współczynnik proporcji*Parametr transkonduktancji procesu)

Transkonduktancja procesu podana Transkonduktancja i prąd drenu

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja^2/(2*Współczynnik proporcji*Prąd spustowy)

Transkonduktancja MOSFET z podanym parametrem transkonduktancji

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Parametr transkonduktancji MOSFET wykorzystujący transkonduktancję procesową

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji

Transkonduktancja tylnej bramki

Iść Transkonduktancja tylnej bramki = Transkonduktancja*Wydajność napięciowa

Transkonduktancja MOSFET przy przesterowaniu napięcia

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji*Napięcie przesterowania

Procesowy parametr transkonduktancji MOSFET

Iść Parametr transkonduktancji = Transkonduktancja/Napięcie przesterowania

Prąd spustowy za pomocą transkonduktancji

Iść Prąd spustowy = (Napięcie przesterowania)*Transkonduktancja/2

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Transkonduktancja MOSFET

Iść Transkonduktancja = Zmiana prądu drenu/Napięcie bramka-źródło

MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu Formułę

Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja/(Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))

Jakie jest zastosowanie transkonduktancji w MOSFET?

Transkonduktancja jest wyrazem działania tranzystora bipolarnego lub tranzystora polowego (FET). Ogólnie rzecz biorąc, im większy współczynnik transkonduktancji dla urządzenia, tym większe wzmocnienie (wzmocnienie), które jest w stanie zapewnić, gdy wszystkie inne czynniki są utrzymywane na stałym poziomie.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!