Transprzewodnictwo w MOSFET-ie Kalkulator

✖Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.ⓘ Prąd spustowy [i_d]			+10% -10%
✖Napięcie przesterowania to termin używany w elektronice i odnosi się do poziomu napięcia przyłożonego do urządzenia lub komponentu, który przekracza jego normalne napięcie robocze.ⓘ Napięcie przesterowania [V_ov]			+10% -10%

✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transprzewodnictwo w MOSFET-ie [g_m]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Formuła

`"g"_{"m"} = (2*"i"_{"d"})/"V"_{"ov"}`

Przykład

`"0.5mS"=(2*"0.08mA")/"0.32V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania
g_m = (2*i_d)/V_ov
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.
Napięcie przesterowania - (Mierzone w Wolt) - Napięcie przesterowania to termin używany w elektronice i odnosi się do poziomu napięcia przyłożonego do urządzenia lub komponentu, który przekracza jego normalne napięcie robocze.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd spustowy: 0.08 Miliamper --> 8E-05 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie przesterowania: 0.32 Wolt --> 0.32 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_m = (2*i_d)/V_ov --> (2*8E-05)/0.32

Ocenianie ... ...

g_m = 0.0005

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.5 Millisiemens <-- Transkonduktancja

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Transkonduktancja » Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 16 Transkonduktancja Kalkulatory

MOSFET Transconductance przy użyciu parametru Transconductance procesu

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja/(Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia))

Dana transkonduktancja Parametr transkonduktancji procesu

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Transkonduktancja przy podanym prądzie drenu

Iść Transkonduktancja = sqrt(2*Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Prąd spustowy)

Transkonduktancja MOSFET przy użyciu parametru transkonduktancji procesowej i napięcia przesterowania

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja/(Współczynnik proporcji*Napięcie przesterowania)

Transkonduktancja przy użyciu parametru transkonduktancji procesowej i napięcia przesterowania

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji*Napięcie przesterowania

Drenaż Transkonduktancja i transkonduktancja prądu danego procesu

Iść Prąd spustowy = Transkonduktancja^2/(2*Współczynnik proporcji*Parametr transkonduktancji procesu)

Transkonduktancja procesu podana Transkonduktancja i prąd drenu

Iść Parametr transkonduktancji procesu = Transkonduktancja^2/(2*Współczynnik proporcji*Prąd spustowy)

Transkonduktancja MOSFET z podanym parametrem transkonduktancji

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Parametr transkonduktancji MOSFET wykorzystujący transkonduktancję procesową

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji

Transkonduktancja tylnej bramki

Iść Transkonduktancja tylnej bramki = Transkonduktancja*Wydajność napięciowa

Transkonduktancja MOSFET przy przesterowaniu napięcia

Iść Transkonduktancja = Parametr transkonduktancji*Napięcie przesterowania

Procesowy parametr transkonduktancji MOSFET

Iść Parametr transkonduktancji = Transkonduktancja/Napięcie przesterowania

Prąd spustowy za pomocą transkonduktancji

Iść Prąd spustowy = (Napięcie przesterowania)*Transkonduktancja/2

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Transkonduktancja MOSFET

Iść Transkonduktancja = Zmiana prądu drenu/Napięcie bramka-źródło

< 15 Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Napięcie polaryzacji MOSFET-u

Iść Całkowite chwilowe napięcie polaryzacji = Napięcie polaryzacji DC+Napięcie prądu stałego

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie Formułę

Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania
g_m = (2*i_d)/V_ov

Co to jest napięcie polaryzacji?

Napięcie polaryzacji to ilość napięcia, której urządzenie elektroniczne potrzebuje, aby włączyć się i działać. Aby urządzenie działało, należy starannie dobrać napięcie wstępne, co oznacza, że moc potrzebna do działania urządzenia musi być na określonym poziomie. Przy zbyt niskim napięciu polaryzacji moc wysyłana do urządzenia może być niewystarczająca, aby je włączyć, a tym samym urządzenie się nie włączy. Przy zbyt dużym napięciu polaryzacji urządzenie może otrzymywać zbyt duży prąd i może zostać zniszczone. Skontaktuj się z producentem używanego urządzenia, aby sprawdzić, jakie napięcie polaryzacji powinno otrzymać.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!