MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelleⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.ⓘ Grenzspannung [V_th]			+10% -10%

✖Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.ⓘ MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters [k'_n]

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Formel

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MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters

Formel

`"k'"_{"n"} = "g"_{"m"}/("WL"*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"}))`

Beispiel

`"0.015625A/V²"="0.5mS"/("0.1"*("4V"-"3.68V"))`

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MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 3.68 Volt --> 3.68 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th)) --> 0.0005/(0.1*(4-3.68))

Auswerten ... ...

k'_n = 0.015625

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.015625 Ampere pro Quadratvolt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.015625 Ampere pro Quadratvolt <-- Transkonduktanzparameter verarbeiten

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters

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Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters Formel

Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

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