Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo Calculadora

✖A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.ⓘ Transcondutância [g_m]			+10% -10%
✖A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonteⓘ Proporção da tela [WL]			+10% -10%
✖A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.ⓘ Tensão Gate-Fonte [V_gs]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_th]			+10% -10%

✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo [k'_n]

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Fórmula

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Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Fórmula

`"k'"_{"n"} = "g"_{"m"}/("WL"*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"}))`

Exemplo

`"0.015625A/V²"="0.5mS"/("0.1"*("4V"-"3.68V"))`

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Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Parâmetro de Transcondutância do Processo - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Transcondutância: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Proporção da tela: 0.1 --> Nenhuma conversão necessária
Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 3.68 Volt --> 3.68 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th)) --> 0.0005/(0.1*(4-3.68))

Avaliando ... ...

k'_n = 0.015625

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.015625 Ampère por Volt Quadrado --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.015625 Ampère por Volt Quadrado <-- Parâmetro de Transcondutância do Processo

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 16 Transcondutância Calculadoras

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar))

Transcondutância dada o parâmetro de transcondutância do processo

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Transcondutância dada a corrente de drenagem

Vai Transcondutância = sqrt(2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Corrente de dreno devido à transcondutância e transcondutância do processo

Vai Corrente de drenagem = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Parâmetro de Transcondutância do Processo)

Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem)

Transcondutância usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem

Transcondutância do MOSFET dado o parâmetro de transcondutância

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Parâmetro de Transcondutância MOSFET usando Transcondutância de Processo

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Transcondutância da porta traseira

Vai Transcondutância da porta traseira = Transcondutância*Eficiência de Tensão

Parâmetro de Transcondutância do Processo do MOSFET

Vai Parâmetro de Transcondutância = Transcondutância/Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET dada a tensão de overdrive

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET

Vai Transcondutância = Alteração na corrente de drenagem/Tensão Gate-Fonte

Drenar corrente usando transcondutância

Vai Corrente de drenagem = (Tensão de ultrapassagem)*Transcondutância/2

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo Fórmula

Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância para um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

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