Resistência do Canal Calculadora

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Fabricação de IC MOS

Fabricação de CI bipolar

Gatilho Schmitt

✖O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Comprimento do transistor [L_t]			+10% -10%
✖A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.ⓘ Largura do transistor [W_t]			+10% -10%
✖A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.ⓘ Mobilidade Eletrônica [μ_n]			+10% -10%
✖Densidade de portadora refere-se ao número de portadores de carga (elétrons ou lacunas) presentes no canal semicondutor.ⓘ Densidade de portadora [Q_on]			+10% -10%

✖A resistência do canal refere-se à resistência oferecida pelo material semicondutor no canal através do qual a corrente flui entre os terminais fonte e dreno.ⓘ Resistência do Canal [R_ch]

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Fórmula

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Resistência do Canal

Fórmula

`"R"_{"ch"} = "L"_{"t"}/"W"_{"t"}*1/("μ"_{"n"}*"Q"_{"on"})`

Exemplo

`"3.463203Ω"="3.2μm"/"5.5μm"*1/("30m²/V*s"*"0.0056electrons/m³")`

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Resistência do Canal Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Resistência do Canal - (Medido em Ohm) - A resistência do canal refere-se à resistência oferecida pelo material semicondutor no canal através do qual a corrente flui entre os terminais fonte e dreno.
Comprimento do transistor - (Medido em Metro) - O comprimento do transistor refere-se ao comprimento da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Largura do transistor - (Medido em Metro) - A largura do transistor refere-se à largura da região do canal em um MOSFET. Esta dimensão desempenha um papel crucial na determinação das características elétricas e do desempenho do transistor.
Mobilidade Eletrônica - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade eletrônica descreve a rapidez com que os elétrons podem se mover através do material em resposta a um campo elétrico.
Densidade de portadora - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - Densidade de portadora refere-se ao número de portadores de carga (elétrons ou lacunas) presentes no canal semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Comprimento do transistor: 3.2 Micrômetro --> 3.2E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura do transistor: 5.5 Micrômetro --> 5.5E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Mobilidade Eletrônica: 30 Metro quadrado por volt por segundo --> 30 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Densidade de portadora: 0.0056 Elétrons por metro cúbico --> 0.0056 Elétrons por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Avaliando ... ...

R_ch = 3.46320346320346

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.46320346320346 Ohm --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Ohm <-- Resistência do Canal

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação

Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Concentração de dopante doador

Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Concentração de dopante aceitante

Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)

Concentração Máxima de Dopante

Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos

Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco

Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)

Dimensão crítica

Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica

Morrer por wafer

Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)

Espessura de Óxido Equivalente

Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Resistência do Canal Fórmula

Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)

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