Efeito Corporal no MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Tensão Limite com Substrato - (Medido em Volt) - A Tensão Limiar com Substrato é um parâmetro crucial que define o ponto em que o transistor começa a conduzir corrente da fonte para o dreno.
Tensão limite com polarização corporal zero - (Medido em Volt) - Tensão limite com polarização zero do corpo refere-se à tensão limite quando não há polarização externa aplicada ao substrato semicondutor (terminal do corpo).
Parâmetro de efeito corporal - O parâmetro Body Effect é um parâmetro que caracteriza a sensibilidade da tensão limite do MOSFET.
Potencial de Fermi em massa - (Medido em Volt) - Potencial de Fermi em massa é um parâmetro que descreve o potencial eletrostático na massa (interior) de um material semicondutor.
Tensão aplicada ao corpo - (Medido em Volt) - Tensão aplicada ao corpo é a tensão aplicada ao terminal do corpo. Esta tensão pode ter um impacto significativo no comportamento e desempenho do MOSFET.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão limite com polarização corporal zero: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Nenhuma conversão necessária
Parâmetro de efeito corporal: 0.56 --> Nenhuma conversão necessária
Potencial de Fermi em massa: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão aplicada ao corpo: 2.43 Volt --> 2.43 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))
Avaliando ... ...
Vt = 3.96258579757846
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
3.96258579757846 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
3.96258579757846 3.962586 Volt <-- Tensão Limite com Substrato
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
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15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação
​ Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))
Efeito Corporal no MOSFET
​ Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))
Concentração de dopante doador
​ Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)
Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação
​ Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)
Concentração de dopante aceitante
​ Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)
Concentração Máxima de Dopante
​ Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
Tempo de propagação
​ Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga
Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres
​ Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico
Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos
​ Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico
Resistência do Canal
​ Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)
Frequência de ganho unitário MOSFET
​ Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)
Profundidade de foco
​ Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)
Dimensão crítica
​ Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica
Morrer por wafer
​ Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)
Espessura de Óxido Equivalente
​ Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Efeito Corporal no MOSFET Fórmula

Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))
Vt = Vth+γ*(sqrt(2*Φf+Vbs)-sqrt(2*Φf))
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