Frequência de ganho unitário MOSFET Calculadora

Engenharia Financeiro Física Matemática Mais >>

↳

Eletrônicos Ciência de materiais Civil Elétrico Mais >>

⤿

Circuitos Integrados (CI)Amplificadores Antena e propagação de ondas Comunicação digital Mais >>

⤿

Fabricação de IC MOS Fabricação de CI bipolar Gatilho Schmitt

✖A transcondutância no MOSFET é um parâmetro chave que descreve a relação entre a tensão de entrada e a corrente de saída.ⓘ Transcondutância em MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância da Fonte da Porta [C_gs]			+10% -10%
✖A capacitância de drenagem do portão refere-se à capacitância entre os terminais do portão e do dreno do dispositivo.ⓘ Capacitância de drenagem do portão [C_gd]			+10% -10%

✖A frequência de ganho unitário no MOSFET refere-se à frequência na qual o ganho de tensão do dispositivo cai para 1 (0dB) em uma configuração de fonte comum com carga resistiva.ⓘ Frequência de ganho unitário MOSFET [f_t]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

LaTeX

Redefinir

👍

Download Fabricação de IC MOS Fórmulas PDF PDF Image

Frequência de ganho unitário MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Frequência de ganho unitário em MOSFET - (Medido em Hertz) - A frequência de ganho unitário no MOSFET refere-se à frequência na qual o ganho de tensão do dispositivo cai para 1 (0dB) em uma configuração de fonte comum com carga resistiva.
Transcondutância em MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância no MOSFET é um parâmetro chave que descreve a relação entre a tensão de entrada e a corrente de saída.
Capacitância da Fonte da Porta - (Medido em Farad) - A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).
Capacitância de drenagem do portão - (Medido em Farad) - A capacitância de drenagem do portão refere-se à capacitância entre os terminais do portão e do dreno do dispositivo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Transcondutância em MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Nenhuma conversão necessária
Capacitância da Fonte da Porta: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de drenagem do portão: 2.8 Microfarad --> 2.8E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Avaliando ... ...

f_t = 37414.9659863946

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Quilohertz (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Quilohertz <-- Frequência de ganho unitário em MOSFET

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Circuitos Integrados (CI) » Fabricação de IC MOS » Frequência de ganho unitário MOSFET

Créditos

Criado por Banu Prakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

Banu Prakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< Fabricação de IC MOS Calculadoras

Efeito Corporal no MOSFET

LaTeX Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

LaTeX Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Resistência do Canal

LaTeX Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

LaTeX Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Ver mais >>

Frequência de ganho unitário MOSFET Fórmula

LaTeX Vai

Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!