Frequência de ganho unitário MOSFET Calculadora

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Fabricação de IC MOS

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Gatilho Schmitt

✖A transcondutância no MOSFET é um parâmetro chave que descreve a relação entre a tensão de entrada e a corrente de saída.ⓘ Transcondutância em MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância da Fonte da Porta [C_gs]			+10% -10%
✖A capacitância de drenagem do portão refere-se à capacitância entre os terminais do portão e do dreno do dispositivo.ⓘ Capacitância de drenagem do portão [C_gd]			+10% -10%

✖A frequência de ganho unitário no MOSFET refere-se à frequência na qual o ganho de tensão do dispositivo cai para 1 (0dB) em uma configuração de fonte comum com carga resistiva.ⓘ Frequência de ganho unitário MOSFET [f_t]

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Fórmula

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Frequência de ganho unitário MOSFET

Fórmula

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Exemplo

`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`

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Frequência de ganho unitário MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Frequência de ganho unitário em MOSFET - (Medido em Hertz) - A frequência de ganho unitário no MOSFET refere-se à frequência na qual o ganho de tensão do dispositivo cai para 1 (0dB) em uma configuração de fonte comum com carga resistiva.
Transcondutância em MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância no MOSFET é um parâmetro chave que descreve a relação entre a tensão de entrada e a corrente de saída.
Capacitância da Fonte da Porta - (Medido em Farad) - A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).
Capacitância de drenagem do portão - (Medido em Farad) - A capacitância de drenagem do portão refere-se à capacitância entre os terminais do portão e do dreno do dispositivo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Transcondutância em MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Nenhuma conversão necessária
Capacitância da Fonte da Porta: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de drenagem do portão: 2.8 Microfarad --> 2.8E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Avaliando ... ...

f_t = 37414.9659863946

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Quilohertz (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Quilohertz <-- Frequência de ganho unitário em MOSFET

(Cálculo concluído em 00.018 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação

Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Concentração de dopante doador

Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Concentração de dopante aceitante

Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)

Concentração Máxima de Dopante

Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos

Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco

Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)

Dimensão crítica

Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica

Morrer por wafer

Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)

Espessura de Óxido Equivalente

Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Frequência de ganho unitário MOSFET Fórmula

Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

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