Transcondutância MOSFET Calculadora

✖Mudança na corrente de dreno indica a mudança na capacidade de condução de corrente do chip de silício; ele pode ser usado como um guia ao comparar diferentes dispositivos.ⓘ Alteração na corrente de drenagem [ΔI_d]			+10% -10%
✖A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.ⓘ Tensão Gate-Fonte [V_gs]			+10% -10%

✖A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.ⓘ Transcondutância MOSFET [g_m]

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Fórmula

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Transcondutância MOSFET

Fórmula

`"g"_{"m"} = "ΔI"_{"d"}/"V"_{"gs"}`

Exemplo

`"0.5mS"="2mA"/"4V"`

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Transcondutância MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância = Alteração na corrente de drenagem/Tensão Gate-Fonte
g_m = ΔI_d/V_gs
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é definida como a razão entre a mudança na corrente de saída e a mudança na tensão de entrada, com a tensão porta-fonte mantida constante.
Alteração na corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Mudança na corrente de dreno indica a mudança na capacidade de condução de corrente do chip de silício; ele pode ser usado como um guia ao comparar diferentes dispositivos.
Tensão Gate-Fonte - (Medido em Volt) - A tensão gate-source é um parâmetro crítico que afeta a operação de um FET e é frequentemente usada para controlar o comportamento do dispositivo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Alteração na corrente de drenagem: 2 Miliamperes --> 0.002 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão Gate-Fonte: 4 Volt --> 4 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Avaliando ... ...

g_m = 0.0005

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.5 Millisiemens <-- Transcondutância

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh verificou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

< 16 Transcondutância Calculadoras

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar))

Transcondutância dada o parâmetro de transcondutância do processo

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Transcondutância dada a corrente de drenagem

Vai Transcondutância = sqrt(2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Corrente de dreno devido à transcondutância e transcondutância do processo

Vai Corrente de drenagem = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Parâmetro de Transcondutância do Processo)

Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Corrente de drenagem)

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem)

Transcondutância usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem

Transcondutância do MOSFET dado o parâmetro de transcondutância

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)

Parâmetro de Transcondutância MOSFET usando Transcondutância de Processo

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela

Efeito Corporal na Transcondutância

Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância

Transcondutância da porta traseira

Vai Transcondutância da porta traseira = Transcondutância*Eficiência de Tensão

Parâmetro de Transcondutância do Processo do MOSFET

Vai Parâmetro de Transcondutância = Transcondutância/Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET dada a tensão de overdrive

Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET

Vai Transcondutância = Alteração na corrente de drenagem/Tensão Gate-Fonte

Drenar corrente usando transcondutância

Vai Corrente de drenagem = (Tensão de ultrapassagem)*Transcondutância/2

Transcondutância em MOSFET

Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Transcondutância MOSFET Fórmula

Transcondutância = Alteração na corrente de drenagem/Tensão Gate-Fonte
g_m = ΔI_d/V_gs

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância de um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

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