MOSFET-transconductantie Rekenmachine

✖Verandering in afvoerstroom geeft de verandering in stroomgeleidingsvermogen van de siliciumchip aan; het kan als leidraad worden gebruikt bij het vergelijken van verschillende apparaten.ⓘ Verandering in afvoerstroom [ΔI_d]			+10% -10%
✖Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.ⓘ Gate-bronspanning [V_gs]			+10% -10%

✖Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.ⓘ MOSFET-transconductantie [g_m]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

MOSFET-transconductantie

Formule

`"g"_{"m"} = "ΔI"_{"d"}/"V"_{"gs"}`

Voorbeeld

`"0.5mS"="2mA"/"4V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

MOSFET-transconductantie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantie = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning
g_m = ΔI_d/V_gs
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.
Verandering in afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verandering in afvoerstroom geeft de verandering in stroomgeleidingsvermogen van de siliciumchip aan; het kan als leidraad worden gebruikt bij het vergelijken van verschillende apparaten.
Gate-bronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Verandering in afvoerstroom: 2 milliampère --> 0.002 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Gate-bronspanning: 4 Volt --> 4 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Evalueren ... ...

g_m = 0.0005

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0005 Siemens -->0.5 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.5 Millisiemens <-- Transconductantie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Transconductantie » MOSFET-transconductantie

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Prahalad Singh

Jaipur Engineering College en Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 10+ rekenmachines!

< 16 Transconductantie Rekenmachines

MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie/(Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning))

Transconductantie gegeven procestransconductantieparameter

Gaan Transconductantie = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Transconductantie gegeven afvoerstroom

Gaan Transconductantie = sqrt(2*Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*Afvoerstroom)

MOSFET-transconductantie met behulp van procestransconductantieparameter en overdrive-spanning

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie/(Beeldverhouding*Overdrive-spanning)

Transconductantie met behulp van Process Transconductance Parameter en Overdrive Voltage

Gaan Transconductantie = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*Overdrive-spanning

Procestransconductantie gegeven Transconductantie en afvoerstroom

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie^2/(2*Beeldverhouding*Afvoerstroom)

Afvoerstroom gegeven procestransconductantie en transconductantie

Gaan Afvoerstroom = Transconductantie^2/(2*Beeldverhouding*Procestransconductantieparameter)

MOSFET Transconductantie gegeven Transconductance Parameter:

Gaan Transconductantie = Transconductantieparameter*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Lichaamseffect op transconductantie

Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie

MOSFET-transconductantieparameter met behulp van procestransconductantie

Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding

Backgate-transconductantie

Gaan Backgate-transconductantie = Transconductantie*Spanningsefficiëntie

MOSFET Transconductantie gegeven Overdrive Voltage

Gaan Transconductantie = Transconductantieparameter*Overdrive-spanning

Procestransconductantieparameter van MOSFET

Gaan Transconductantieparameter = Transconductantie/Overdrive-spanning

MOSFET-transconductantie

Gaan Transconductantie = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning

Stroom afvoeren met behulp van transconductantie

Gaan Afvoerstroom = (Overdrive-spanning)*Transconductantie/2

Transconductantie in MOSFET

Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning

MOSFET-transconductantie Formule

Transconductantie = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning
g_m = ΔI_d/V_gs

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!