МОП-транзистор Калькулятор

✖Изменение тока стока указывает на изменение способности кремниевой микросхемы проводить ток; его можно использовать в качестве ориентира при сравнении различных устройств.ⓘ Изменение тока стока [ΔI_d]			+10% -10%
✖Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.ⓘ Напряжение затвор-исток [V_gs]			+10% -10%

✖Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.ⓘ МОП-транзистор [g_m]

⎘ копия

👎

Формула

✖

МОП-транзистор

Формула

`"g"_{"m"} = "ΔI"_{"d"}/"V"_{"gs"}`

Пример

`"0.5mS"="2mA"/"4V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

МОП-транзистор Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

крутизна = Изменение тока стока/Напряжение затвор-исток
g_m = ΔI_d/V_gs
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.
Изменение тока стока - (Измеряется в Ампер) - Изменение тока стока указывает на изменение способности кремниевой микросхемы проводить ток; его можно использовать в качестве ориентира при сравнении различных устройств.
Напряжение затвор-исток - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Изменение тока стока: 2 Миллиампер --> 0.002 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение затвор-исток: 4 вольт --> 4 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Оценка ... ...

g_m = 0.0005

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0005 Сименс -->0.5 Миллисименс (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.5 Миллисименс <-- крутизна

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » крутизна » МОП-транзистор

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Прахалад Сингх

Джайпурский инженерный колледж и исследовательский центр (JECRC), Джайпур

Прахалад Сингх проверил этот калькулятор и еще 10+!

< 16 крутизна Калькуляторы

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение))

Крутизна заданного параметра крутизны процесса

Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Крутизна тока стока

Идти крутизна = sqrt(2*Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Ток стока)

Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*Повышенное напряжение)

Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Повышенное напряжение

MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны

Идти крутизна = Параметр крутизны*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Технологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна^2/(2*Соотношение сторон*Ток стока)

Ток стока с учетом крутизны процесса и крутизны

Идти Ток стока = крутизна^2/(2*Соотношение сторон*Параметр крутизны процесса)

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Транспроводимость задних ворот

Идти Транспроводимость задних ворот = крутизна*Эффективность напряжения

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

Идти Параметр крутизны = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон

МОП-транзистор

Идти крутизна = Изменение тока стока/Напряжение затвор-исток

Транскондуктивность МОП-транзистора при заданном напряжении перегрузки

Идти крутизна = Параметр крутизны*Повышенное напряжение

Параметр крутизны процесса MOSFET

Идти Параметр крутизны = крутизна/Повышенное напряжение

Ток стока с использованием крутизны

Идти Ток стока = (Повышенное напряжение)*крутизна/2

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

МОП-транзистор формула

крутизна = Изменение тока стока/Напряжение затвор-исток
g_m = ΔI_d/V_gs

Какая польза от крутизны в MOSFET?

Крутизна - это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!