✖La variazione della corrente di drain indica la variazione della capacità di conduzione di corrente del chip di silicio; può essere utilizzato come guida quando si confrontano diversi dispositivi.ⓘ Modifica della corrente di scarico [ΔId] | | | +10% -10% |
✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione gate-source [Vgs] | | | +10% -10% |