✖Eine Änderung des Drain-Stroms zeigt die Änderung der Stromleitfähigkeit des Siliziumchips an. Es kann als Orientierungshilfe beim Vergleich verschiedener Geräte verwendet werden.ⓘ Änderung des Drainstroms [ΔId] | | | +10% -10% |
✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [Vgs] | | | +10% -10% |