Transconductance MOSFET Calculatrice

✖Le changement de courant de drain indique le changement de capacité de conduction de courant de la puce de silicium ; il peut être utilisé comme guide lors de la comparaison de différents appareils.ⓘ Changement du courant de drain [ΔI_d]			+10% -10%
✖La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.ⓘ Tension grille-source [V_gs]			+10% -10%

✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance MOSFET [g_m]

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Formule

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Transconductance MOSFET

Formule

`"g"_{"m"} = "ΔI"_{"d"}/"V"_{"gs"}`

Exemple

`"0.5mS"="2mA"/"4V"`

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Transconductance MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance = Changement du courant de drain/Tension grille-source
g_m = ΔI_d/V_gs
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.
Changement du courant de drain - (Mesuré en Ampère) - Le changement de courant de drain indique le changement de capacité de conduction de courant de la puce de silicium ; il peut être utilisé comme guide lors de la comparaison de différents appareils.
Tension grille-source - (Mesuré en Volt) - La tension grille-source est un paramètre critique qui affecte le fonctionnement d'un FET et est souvent utilisée pour contrôler le comportement du dispositif.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Changement du courant de drain: 2 Milliampère --> 0.002 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension grille-source: 4 Volt --> 4 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

g_m = ΔI_d/V_gs --> 0.002/4

Évaluer ... ...

g_m = 0.0005

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0005 Siemens -->0.5 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.5 millisiemens <-- Transconductance

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< 16 Transconductance Calculatrices

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil))

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)

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Aller Transconductance = sqrt(2*Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

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Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication)

Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

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Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Drain Current étant donné la transconductance et la transconductance du processus

Aller Courant de vidange = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Paramètre de transconductance de processus)

Transconductance MOSFET donnée Paramètre de transconductance

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

MOSFET Transconductance étant donné la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*Tension de surmultiplication

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Aller Paramètre de transconductance = Transconductance/Tension de surmultiplication

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Aller Transconductance de la porte arrière = Transconductance*Efficacité de tension

Transconductance MOSFET

Aller Transconductance = Changement du courant de drain/Tension grille-source

Drainer le courant à l'aide de la transconductance

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Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Transconductance MOSFET Formule

Transconductance = Changement du courant de drain/Tension grille-source
g_m = ΔI_d/V_gs

Quelle est l'utilisation de la transconductance dans le MOSFET?

La transconductance est une expression des performances d'un transistor bipolaire ou d'un transistor à effet de champ (FET). En général, plus le chiffre de transconductance d'un dispositif est élevé, plus le gain (amplification) qu'il est capable de fournir est important, lorsque tous les autres facteurs sont maintenus constants.

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