Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung Taschenrechner

✖Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird.ⓘ Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen [Φ_osw]			+10% -10%
✖Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.ⓘ Endspannung [V₂]			+10% -10%
✖Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.ⓘ Anfangsspannung [V₁]			+10% -10%

✖Der Seitenwandspannungsäquivalenzfaktor stellt die Beziehung zwischen der an ein Halbleiterbauelement angelegten Spannung und der daraus resultierenden Änderung der Seitenwandübergangskapazität pro Flächeneinheit dar.ⓘ Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung [K_eq(sw)]

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Formel

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Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Formel

`"K"_{"eq(sw)"} = -(2*sqrt("Φ"_{"osw"})/("V"_{"2"}-"V"_{"1"})*(sqrt("Φ"_{"osw"}-"V"_{"2"})-sqrt("Φ"_{"osw"}-"V"_{"1"})))`

Beispiel

`"1.00009"=-(2*sqrt("0.000032V")/("6.135nV"-"5.42nV")*(sqrt("0.000032V"-"6.135nV")-sqrt("0.000032V"-"5.42nV")))`

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Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))
K_eq(sw) = -(2*sqrt(Φ_osw)/(V₂-V₁)*(sqrt(Φ_osw-V₂)-sqrt(Φ_osw-V₁)))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung - Der Seitenwandspannungsäquivalenzfaktor stellt die Beziehung zwischen der an ein Halbleiterbauelement angelegten Spannung und der daraus resultierenden Änderung der Seitenwandübergangskapazität pro Flächeneinheit dar.
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird.
Endspannung - (Gemessen in Volt) - Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.
Anfangsspannung - (Gemessen in Volt) - Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen: 3.2E-05 Volt --> 3.2E-05 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Endspannung: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Anfangsspannung: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

K_eq(sw) = -(2*sqrt(Φ_osw)/(V₂-V₁)*(sqrt(Φ_osw-V₂)-sqrt(Φ_osw-V₁))) --> -(2*sqrt(3.2E-05)/(6.135E-09-5.42E-09)*(sqrt(3.2E-05-6.135E-09)-sqrt(3.2E-05-5.42E-09)))

Auswerten ... ...

K_eq(sw) = 1.00009028568687

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.00009028568687 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.00009028568687 ≈ 1.00009 <-- Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

(Berechnung in 00.021 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Gehen Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))

Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter

Gehen Pulldown-Strom im linearen Bereich = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(2*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Ausgangsspannung-Ausgangsspannung^2))

Knotenspannung bei gegebener Instanz

Gehen Knotenspannung bei gegebener Instanz = (Transkonduktanzfaktor/Knotenkapazität)*int(exp(-(1/(Knotenwiderstand*Knotenkapazität))*(Zeitraum-x))*In den Knoten fließender Strom*x,x,0,Zeitraum)

Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich

Gehen Sättigungsbereich Pulldown-Strom = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2)

Sättigungszeit

Gehen Sättigungszeit = -2*Ladekapazität/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)^2)*int(1,x,Hohe Ausgangsspannung,Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)

Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet

Gehen Linearer Bereich in der Zeitverzögerung = -2*Sperrschichtkapazität*int(1/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(2*(Eingangsspannung-Grenzspannung)*x-x^2)),x,Anfangsspannung,Endspannung)

Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor

Gehen Stromverbrauch = (Kanalbreite/Kanallänge)*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*int((Gate-Source-Spannung-x-Grenzspannung),x,0,Drain-Quellenspannung)

Ladungsdichte im Verarmungsbereich

Gehen Dichte der Sperrschichtladung = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(Oberflächenpotential-Bulk-Fermi-Potenzial)))

Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion

Gehen Region der Erschöpfungstiefe von Drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Eingebautes Verbindungspotential+Drain-Quellenspannung))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Drainstrom im Sättigungsbereich im MOS-Transistor

Gehen Drainstrom im Sättigungsbereich = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*int(Aufladen*Kurzkanalparameter,x,0,Effektive Kanallänge)

Maximale Erschöpfungstiefe

Gehen Maximale Erschöpfungstiefe = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk-Fermi-Potenzial))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Fermipotential für P-Typ

Gehen Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)

Fermipotential für N-Typ

Gehen Fermipotential für N-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Donator-Dotierstoffkonzentration/Intrinsische Trägerkonzentration)

Eingebautes Potenzial in der Erschöpfungsregion

Gehen Eingebaute Spannung = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(-2*Bulk-Fermi-Potenzial)))

Mit der Quelle verbundene Tiefe der Erschöpfungsregion

Gehen Region der Erschöpfungstiefe der Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Eingebautes Verbindungspotential)/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Äquivalente Großsignalkapazität

Gehen Äquivalente Großsignalkapazität = (1/(Endspannung-Anfangsspannung))*int(Sperrschichtkapazität*x,x,Anfangsspannung,Endspannung)

Substrat-Vorspannungskoeffizient

Gehen Substrat-Vorspannungskoeffizient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors)/Oxidkapazität

Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum

Gehen Durchschnittliche Kraft = (1/Gesamtzeitaufwand)*int(Stromspannung*Aktuell,x,0,Gesamtzeitaufwand)

Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

Gehen Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität = Umfang der Seitenwand*Seitenwandübergangskapazität*Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Arbeitsfunktion im MOSFET

Gehen Arbeitsfuntkion = Vakuumniveau+(Energieniveau des Leitungsbandes-Fermi-Level)

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

Gehen Seitenwandübergangskapazität = Null-Bias-Seitenwandübergangspotential*Tiefe der Seitenwand

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